[發明專利]半導體模塊、半導體模塊的制造方法以及便攜式設備

有效

• 申請號: 200810142810.5
• 申請日: 2008-01-31
• 公開（公告）號: CN101312169A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 柳瀬康行;岡山芳央;柴田清司;井上恭典;水原秀樹;臼井良輔;山本哲也;吉井益良男
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種半導體模塊，其特征在于，包括：

在表面具有電極的基板；

在所述基板上設置的絕緣層；

在所述絕緣層上設置的布線層；以及

與所述布線層一體地設置且從所述布線層突出進而貫通所述絕緣層與 所述電極電連接的突起部；

所述布線層具有設置所述突起部的第一區域和與該第一區域連接并延 伸的第二區域，相比于所述第一區域中的所述布線層，所述第二區域中的所 述布線層更向所述基板側凹陷形成；

設置有多個所述突起部，并且位于所述突起部間的所述絕緣層形成為具 有凹形的上表面。

2.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，在與設置有所述 突起部的面相反側的面的所述布線層上，在與所述突起部不重疊的位置具有 與所述布線層一體的凸狀的接線柱部。

3.根據權利要求2所述的半導體模塊，其特征在于，在所述布線層的 與設置有所述突起部的面相反的一側面形成有另一突起部，該另一突起部對 應于與所述電極的位置不同的位置而突出。

4.根據權利要求3所述的半導體模塊，其特征在于，所述另一突起部 設置在與所述突起部相反側的所述布線層的端部。

5.根據權利要求4所述的半導體模塊，其特征在于，所述另一突起部 的高度比所述突起部的高度低。

6.根據權利要求4所述的半導體模塊，其特征在于，所述另一突起部 以未與所述基板電連接的狀態被所述基板支持。

7.根據權利要求5所述的半導體模塊，其特征在于，所述另一突起部 以未與所述基板電連接的狀態被所述基板支持。

8.一種半導體模塊的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，制備在表面具有多個電極的半導體基板；

第二工序，在金屬板上設置分離溝，以便形成對應于所述電極的位置突 出設置的突起部；

第三工序，通過經由絕緣層壓接所述金屬板和所述半導體基板，并且使 所述突起部貫通所述絕緣層，在電連接所述突起部和所述電極的同時，使在 所述突起部間設置的所述金屬板，通過使所述絕緣層冷卻并膜收縮而以凹狀 向所述半導體基板側彎曲；

第四工序，對所述金屬板進行構圖并形成由規定圖案構成的布線層。

9.根據權利要求8所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，在所 述第二工序，在與設置有所述突起部的面相反側的面的所述布線層上，在與 所述突起部不重疊的位置還形成與所述金屬板一體的凸狀的接線柱部。

10.根據權利要求8或9所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于， 在所述第二工序，在所述金屬板的與設置有所述突起部的面相反側的面設置 另一突起部，該另一突起部對應于與所述電極的位置不同位置而突出。

11.一種半導體模塊的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，制備在表面上具有多個電極的半導體基板；

第二工序，在金屬板上設置分離溝，以便形成對應于所述電極的位置突 出而設置的突起部；

第三工序，在與設置有所述突起部的面相反側的所述金屬板的面對布線 圖案進行半蝕刻；

第四工序，通過經由絕緣層壓接所述金屬板和所述半導體基板，并且使 所述突起部貫通所述絕緣層，在電連接所述突起部和所述電極的同時，使在 所述突起部間設置的所述金屬板，通過使所述絕緣層冷卻并膜收縮而以凹狀 向所述半導體基板側彎曲；

第五工序，對與設置有所述突起部的面相反側的所述金屬板的面進行蝕 刻并形成由規定圖案構成的布線層。

12.一種便攜式設備，其特征在于，具有權利要求1～7中任一項所述 的半導體模塊。