[發明專利]一種用于GaN外延的襯底的加工方法

無效

• 申請號: 200810140001.0
• 申請日: 2008-09-12
• 公開（公告）號: CN101378002A
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發明（設計）人: 陳秀芳;徐現剛;胡小波
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/302;H01L21/304
• 代理公司: 濟南圣達專利商標事務所有限公司
• 代理人: 王書剛

1.一種用于GaN外延的襯底的加工方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)對切割后的單晶棒進行研磨以去掉晶片的刀痕：

a將粒度為20μm～50μm的碳化硼或碳化硅或氧化鋁微粉與水和懸浮劑按重量比1:1～200：0.1～200的比例配制研磨液；

b在研磨機上采用研磨盤使用配制的研磨液對晶片進行研磨直至去掉晶片的刀痕，控制晶片上的壓力在30g/cm²～500g/cm²；

(2)對研磨后的晶片進行化學機械拋光以去除研磨造成的損傷層：

a將粒度小于20μm的碳化硼或碳化硅或氧化鋁或金剛石微粉與水、分散劑和懸浮劑按重量比1:1～200：0.1～10：1～200的比例配制拋光液；

b在拋光機上采用錫盤或銅盤使用配制的拋光液對研磨后的晶片進行化學機械拋光直至去除研磨造成的損傷層，控制晶片上的壓力在30g/cm²～500g/cm²，拋光溫度為30℃～70℃；

(3)對化學機械拋光后的晶片進行退火以去除近表面原子的損傷；

(4)用濕法清洗液清洗拋光后的晶片，以去除表面上的殘留粒子和沾污物。

2.如權利要求1所述的用于GaN外延的襯底的加工方法，其特征在于：所述步驟(3)中采用退火方式消除表面損傷時的退火溫度為500℃-1500℃，保溫時間為10小時-20小時。

3.如權利要求1所述的用于GaN外延的襯底的加工方法，其特征在于：研磨和化學機械拋光時，采用的懸浮劑是甘油或乙二醇或聚乙二醇；化學機械拋光時，所用的分散劑是硅酸鈉或六偏磷酸鈉或氨水或三乙醇胺或磺基水楊酸。

4.一種權利要求1所述用于GaN外延的襯底的加工方法所制得的單晶襯底表面圖形，其特征在于：該表面圖形的條紋為不規則任意取向的劃痕。