[發(fā)明專利]一種中低功率半導體激光器的封裝制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810138802.3
• 申請日: 2008-07-29
• 公開（公告）號: CN101330194A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發(fā)明（設計）人: 王海衛(wèi);湯慶敏;徐現(xiàn)剛;夏偉;蘇建;李沛旭
• 申請（專利權）人: 山東華光光電子有限公司
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01S5/024
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種中低功率半導體激光器的封裝制作方法，其特征是：是利用一種厚度在0.2mm-0.3mm之間的長方體熱沉作為中間載體，首先以整片的方式在熱沉上蒸鍍焊料，然后利用焊料在每個熱沉單位上粘結半導體激光器管芯芯片，粘結完畢后一起放入合金爐，采用銦焊料時，在200℃-300℃及通氮氣保護條件下燒結10分鐘-20分鐘，采用金錫焊料時，在280℃-300℃及通氮氣保護條件下燒結10秒-60秒，將燒結后粘有芯片的熱沉單位從整片熱沉片上切割下來，利用銀漿粘結到TO5管座的舌頭上，在半導體激光器管芯芯片的N面電極上鍵合金線，將金線連接到TO5管座的陰極管腳上，半導體激光器管芯芯片通過TO5管殼的舌頭作為正電極，陰極管腳作為負電極進行通電工作。

2.根據(jù)權利要求1所述的中低功率半導體激光器的封裝制作方法，其特征是：所述熱沉以導電金屬或者絕緣導熱材料制作，在導電金屬或絕緣導熱材料表面鍍金。

3.根據(jù)權利要求2所述的中低功率半導體激光器的封裝制作方法，其特征是：所述熱沉以導電金屬制作時采用整片制作的，每片包括500個熱沉單位；以絕緣導熱材料制作時使用2英寸-4英寸的襯底片，通過鍍金、鋸片機半切制作。

4.根據(jù)權利要求1所述的中低功率半導體激光器的封裝制作方法，其特征是：所述半導體激光器管芯芯片以倒裝的方式粘結在熱沉上。