[發(fā)明專利]由雙旋轉(zhuǎn)Y切割石英板制成的石英晶體元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810136695.0
• 申請(qǐng)日: 2008-10-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101478298A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 千葉亞紀(jì)雄;小原茂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本電波工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03H9/19
• 分類號(hào): H03H9/19
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 王波波

1.一種晶體元件，由雙旋轉(zhuǎn)Y切割板制成，所述晶體元件包括從 石英晶體切割出的晶體坯，晶體坯的主平面正交于Y”軸，其中Y軸和Z 軸以石英晶體的X軸為中心旋轉(zhuǎn)α角度后指定為Y’軸和Z’軸，并且X軸 和Y’軸以Z’軸為中心旋轉(zhuǎn)β角度后指定為X’軸和Y”軸，X軸、Y軸和Z軸 是針對(duì)石英晶體結(jié)晶學(xué)限定的晶軸，

其中所述晶體坯具有相互正交的兩條應(yīng)力零敏感度軸，并且在從所 述應(yīng)力零敏感度軸以直角相互交叉的中心處放射狀地分開(kāi)的四個(gè)區(qū)域中 具有加強(qiáng)的振動(dòng)位移，

其中所述應(yīng)力零敏感度軸相互以直角交叉處的中心部分的厚度增 加，并且形成從所述中心部分向所述晶體坯的外周部分限定四角錐形形 狀的脊線部分，

其中當(dāng)提供與四角錐形形狀的頂角相對(duì)的底面時(shí)，所述晶體坯沿著 底面的截面厚度在所述晶體坯的中心區(qū)域較大，并且朝著晶體坯的兩末 端逐漸變小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的晶體元件，其中所述晶體坯的兩個(gè)主平面的 每一個(gè)設(shè)置有激勵(lì)電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的晶體元件，其中所述晶體坯的所述脊線部分 沿著所述相互正交的應(yīng)力零敏感度軸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的晶體元件，其中所述晶體坯的所述脊線部分 沿著應(yīng)力敏感度中間軸，該應(yīng)力敏感度中間軸從所述相互正交的應(yīng)力零 敏感度軸的中間看時(shí)分別旋轉(zhuǎn)45度，以兩等分地分開(kāi)所述應(yīng)力零敏感度 軸之間的空間。

5.根據(jù)權(quán)利要求3的晶體元件，其中所述晶體坯具有正方形平面 形狀，并且所述相互正交的應(yīng)力零敏感度軸沿著所述正方形的對(duì)角線方 向放置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的晶體元件，其中所述四角錐形在所述晶體坯 的一個(gè)主平面中的頂點(diǎn)部分形成為具有至少比所述四角錐形的傾斜表面 更緩和的斜度的平坦表面形狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的晶體元件，其中所述晶體元件被構(gòu)造為SC切 割晶體元件，所述角度α為33度，所述角度β為22度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的晶體元件，其中所述晶體坯具有從所述Z’軸 和所述X’軸傾斜8度的相互正交的應(yīng)力零敏感度軸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的晶體元件，其中所述晶體元件被構(gòu)造為IT切 割晶體元件，所述角度α為34度，所述角度β為19度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的晶體元件，其中所述晶體坯具有從所述Z’軸 和所述X’軸傾斜8度的相互正交的應(yīng)力零敏感度軸。