[發明專利]發光二極管及發光二極管效能控制方法

無效

• 申請號: 200810135795.1
• 申請日: 2008-07-14
• 公開（公告）號: CN101629679A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發明（設計）人: 沈偉;李遠林;楊玉千
• 申請（專利權）人: 光燿科技股份有限公司
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V1/00;H01L33/00;F21Y101/02
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 晨

1.一種發光二極管，包括一基板，所述基板上設置有一第一金屬接腳和一第二金屬接腳，所述第一金屬接腳上設置有一發光芯片，所述發光芯片一側形成一第一出光面；所述發光芯片與所述第二金屬接腳之間連接有一導線；所述發光芯片可發出光束，所述光束由所述第一出光面射出并形成發光路徑；其特征在于：所述發光路徑中的至少一元件上形成有破壞性結構。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述破壞性結構形成于所述發光芯片的所述第一出光面上。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述發光路徑中設置有一光學元件。

4.如權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：所述光學元件為可透光元件，破壞性結構形成于所述可透光元件上。

5.如權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：所述光學元件為光反射元件，所述光反射元件與所述基板形成一傾斜角度，破壞性結構形成于所述光反射元件上。

6.如權利要求1或2或4或5所述的發光二極管，其中所述破壞性結構為凹陷結構。

7.如權利要求1或2或4或5所述的發光二極管，其中所述破壞性結構為碳化結構。

8.一種發光二極管效能控制方法，其特征在于，包括：

首先，設定一發光二極管的發光效能預設標準值；

其次，測量并紀錄待測所述發光二極管的發光效能；

接著，計算待測所述發光二極管的發光效能與預設標準值的差異值；以及

最后，于所述發光二極管發光路徑中的至少一元件上形成破壞性結構，所述破壞性結構的范圍與差異值成正比。

9.如權利要求8所述的發光二極管效能控制方法，其特征在于，所述形成破壞性結構的方式包括：

在設定所述發光二極管的發光效能預設標準值時并設定一誤差容許范圍；

在計算待測所述發光二極管的發光效能與預設標準值的差異值后，判斷差異值是否介于誤差容許范圍內；

若差異值介于誤差容許范圍內，發光二極管可直接使用；以及

若差異值超過誤差容許范圍，利用電磁波光束控制系統于發光路徑中的至少一元件上形成微聚焦點，并于微聚焦點處發射瞬間集中能量的電磁波光束以產生碳化結構，碳化結構的范圍與差異值成正比。

10.如權利要求8所述的發光二極管效能控制方法，其特征在于，所述形成破壞性結構的方式包括：

在設定所述發光二極管的發光效能預設標準值時并設定一誤差容許范圍；

在計算待測所述發光二極管的發光效能與預設標準值的差異值后，判斷差異值是否介于誤差容許范圍內；

若差異值介于誤差容許范圍內，所述發光二極管可直接使用；及

若差異值超過誤差容許范圍，使用微控制噴出量的噴嘴以微顆粒沖擊發光路徑中的發光元件，使其產生凹陷結構，凹陷結構的范圍與差異值成正比。