[發明專利]發光二極管元件的封裝結構及其制造方法無效
| 申請號: | 200810135793.2 | 申請日: | 2008-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN101629705A | 公開(公告)日: | 2010-01-20 |
| 發明(設計)人: | 曾文良;陳隆欣 | 申請(專利權)人: | 先進開發光電股份有限公司 |
| 主分類號: | F21V19/00 | 分類號: | F21V19/00;F21V7/04;F21V9/14;H01L33/00;G02F1/13357;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 陳 晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 元件 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管元件的封裝結構,包含:
一基板,具有一反射腔;
一裸片,固定于該反射腔內;
一反射層,設于該反射腔表面;
多個電極,設于該基板上相對于該反射腔的表面;以及
一反射式增光偏光膜,設于該反射腔上。
2.如權利要求1所述的發光二極管元件的封裝結構,其中該反射腔內設有多個焊盤,該裸片上的接點與該焊盤電性相連。
3.如權利要求2所述的發光二極管元件的封裝結構,其中該裸片上的接點是以金屬導線或凸塊連接到該焊盤。
4.如權利要求2所述的發光二極管元件的封裝結構,其另包含多個貫穿該基板的導通柱,并使該多個電極及該多個焊盤分別電性連接。
5.如權利要求1所述的發光二極管元件的封裝結構,其中該基板是一導電性不佳的硅晶材料、陶瓷材料、高分子材料、玻璃或低溫共燒多層陶瓷的基材。
6.如權利要求1所述的發光二極管元件的封裝結構,其中該反射式增光偏光膜可將該裸片產生光線中非穿透方向的偏極光有效反射回該反射層。
7.如權利要求1所述的發光二極管元件的封裝結構,其另包含一填入該反射腔內的透明絕緣材料,該反射式增光偏光膜系覆蓋在該透明絕緣材料上。
8.一種發光二極管元件封裝結構的制造方法,包含下列步驟:
提供一基板;
于該基板的一第一表面產生一反射腔;
形成一反射層于該反射腔表面;
于該基板的一第二表面上形成多個電極,其中該第二表面相對于該第一表面;
固定一裸片于該反射腔內;以及
覆蓋一反射式增光偏光膜在該反射腔上,以此可將該裸片產生光線中非穿透方向的偏極光有效反射回該反射層。
9.如權利要求8所述的發光二極管元件封裝結構的制造方法,其另包含于該反射腔內設置多個焊盤的步驟,并且另包含于該基板形成多個導通孔以及于該導通孔內設置金屬導通柱的步驟,其中該焊盤通過該金屬導通柱和該電極相電性連接。
10.如權利要求8所述的發光二極管元件封裝結構的制造方法,其另包含于該反射腔內填入一透明絕緣材料的步驟。
11.如權利要求8所述的發光二極管元件封裝結構的制造方法,其中該裸片是以粘晶方式或覆晶方式固定于該反射腔內。
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