[發明專利]發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 200810134401.0
• 申請日: 2008-07-22
• 公開（公告）號: CN101635325A
• 公開（公告）日: 2010-01-27
• 發明（設計）人: 洪梓健;沈佳輝;馬志邦;徐智鵬;詹世雄
• 申請（專利權）人: 先進開發光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 晨

1.一種發光二極管，包含：

發光結構，包含第一半導體與第二半導體層，分別位于該發光結構的兩側；

多個介質結構，位于該第一半導體層上；

多個金屬結構，位于該第一半導體層上，其中該多個金屬結構與該多個介質 結構間隔排列；以及

反射層，位于該多個介質結構與該多個金屬結構上，該反射層與該多個介質 結構相連接處形成多個斜面，以反射光線。

2.根據權利要求1的發光二極管，還包含替代襯底與接觸電極，其中該替代 襯底位于該反射層上，并且接觸電極位于該第二半導體層上，其中該介質結 構的側視圖為梯形，該反射層在梯形的斜邊上形成所述斜面，以反射光線， 并且或多個介質結構或該多個金屬結構排列成網狀。

3.一種半導體元件的反射結構，包含：

緩沖層，位于該半導體元件的半導體層上，并且該緩沖層包含介質陣列與金 屬陣列，其中該金屬陣列位于該介質陣列間的空隙；以及

反射層，位于該緩沖層上，該反射層與該介質陣列相連接處形成多個斜面， 以反射通過該介質陣列透射的光線。

4.一種半導體元件的反射結構，包含：

多個介質結構，位于該半導體元件的半導體層上；

多個金屬結構，位于該半導體層上，其中該多個金屬結構與該多個介質結構 間隔排列；以及

反射層，位于該多個介質結構與該多個金屬結構上，該反射層與該多個介質 結構相連接處形成多個斜面，以反射光線。

5.一種發光二極管的制造方法，包含下列步驟：

形成發光二極管的發光結構于襯底上；

形成介質層于該發光結構的第一半導體層上；

配置光阻于該介質層上；

通過光阻將該介質層蝕刻出多個空隙，以形成多個介質結構；

形成多個金屬結構于該多個空隙中，其中該多個金屬結構與該多個介質結構 間隔排列；以及

形成反射層于該多個介質結構與該多個金屬結構上，且該反射層與該多個介 質結構相連接處形成多個斜面。

6.根據權利要求5的發光二極管的制造方法，還包含：

形成襯底于該反射層上；

以激光或化學蝕刻剝離方法分離該襯底；以及

形成接觸電極于該第二半導體層上，其中該第一半導體層與該第二半導體層 相對位于該發光結構的兩側；

其中該多個金屬結構通過蒸鍍形成，并且反射層通過蒸鍍、濺鍍、化鍍或電 鍍方式形成。

7.一種發光二極管的制造方法，包含下列步驟：

形成發光二極管的發光結構于襯底上；

配置光阻于該發光結構的第一半導體層上；

移除該光阻以形成多個空隙于該多個介質結構之間；

形成多個金屬結構于該多個空隙中，其中該多個金屬結構與該多個介質結構 間隔排列；以及

形成反射層于該多個介質結構與該多個金屬結構上，且該反射層與該多個介 質結構相連接處形成多個斜面。

8.根據權利要求7的發光二極管的制造方法，還包含：

形成替代襯底于該反射層上；

以激光或化學蝕刻剝離方法分離該襯底；以及

形成接觸電極于第二半導體上，其中該第一半導體層與該第二半導體相對位 于該發光結構的兩側；

其中該多個介質結構通過物理氣相沉積(PVD)或高密度電漿化學氣相沉積 (P-CVD，High?Density?Plasma?Chemical?Vapor?Deposition)方法形成，該多 個金屬結構通過蒸鍍形成，并且該反射層通過蒸鍍、濺鍍、化鍍或電鍍方式 形成。