[發明專利]用于制作發光器件的方法

有效

• 申請號: 200810134334.2
• 申請日: 2003-09-19
• 公開（公告）號: CN101335320A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發明（設計）人: 康學軍;吳大可;愛德華·R·佩里;袁述
• 申請（專利權）人: 霆激科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01S5/024
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

本申請是申請日為2003年9月19日、申請號為03827175.3、發明名稱 為“半導體器件的制造”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及用于制作發光器件的方法，其具體而言涉及，雖然不是完全 地，在半導體器件上電鍍(plating)熱沉。

背景技術

隨著半導體器件的發展，在它們的操作速度和總體尺寸的減小上已經有 了顯著的提高。這導致了一個在半導體器件中積蓄熱的主要問題。因此，熱 沉被用于幫助從半導體器件驅散熱。如此的熱沉通常與半導體器件分開制 造，且通常恰在封裝之前粘結到半導體器件。

存在著許多在半導體器件的制造過程中將銅電鍍到半導體器件的表面 的建議，特別是用于互連。

目前半導體器件的大部分由基于硅(Si)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP) 的半導體材料制成。與如此的電子和光電子器件比較，GaN器件具有許多優 點。GaN所具有的主要內在優點總結在表1中。

表1

??半導體 ??遷移率μ ??(cm²/Vs) ??帶隙 ??(eV)/波長(nm) ??BFOM ??(功率晶體管優點) ??最大溫度 ??(℃) ??Si ??1300 ??1.1/1127 ??1.0 ??300 ??GaAs ??5000 ??1.4/886 ??9.6 ??300 ??GaN ??1500 ??3.4/360 ??24.6 ??700

從表1可以看出GaN在給定的半導體中具有最高的帶隙(3.4eV)。于 是，其被稱為寬帶隙半導體。因此，由GaN制成的電子器件在比Si和GaAs 和InP器件高得多的功率下工作。

對于半導體激光器，GaN激光器具有相對短的波長。如果這樣的激光器 被用于光學數據存儲，較短的波長可以實現更高的容量。GaAs激光器被用 于容量為約670MB/盤的CD-ROM。AlGaInP激光器(也基于GaAs)被用 于容量為約4.7GB/盤的最新的DVD機。下一代DVD機中的GaN激光器可 以具有26GB/盤的容量。