[發(fā)明專利]硅片線切割方法及其裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810132919.0 | 申請日: | 2008-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN101618519A | 公開(公告)日: | 2010-01-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周儉 | 申請(專利權(quán))人: | 內(nèi)蒙古晟納吉光伏材料有限公司 |
| 主分類號: | B24B27/06 | 分類號: | B24B27/06;B28D5/04 |
| 代理公司: | 北京元中知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 張聚增 |
| 地址: | 010080內(nèi)蒙古自治區(qū)*** | 國省代碼: | 內(nèi)蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅片 切割 方法 及其 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種硅單晶棒切片工藝,尤其是采用線切割系統(tǒng)來加工硅切片的硅片線切割方法及其裝置。
背景技術(shù)
目前,對小直徑硅單晶棒大多仍采用內(nèi)圓切片機(jī)進(jìn)行切割加工,它的刀刃是鑲嵌在圓形金屬薄基片的內(nèi)圓周上,刀片的外圓固定在旋轉(zhuǎn)軸上。它與早期采用的外圓刀刃式切片機(jī)相比,它可以使用更加薄的刀刃(視所需加工的直徑大小不同而選用相適應(yīng)的刀頭和刀片,例如切割直徑200mm硅單晶棒需使用34in刀頭,其刀刃厚度約為380μm,刀的金屬基片厚度不到200μm),故可采用比較小的切割耗量、較小的加工余量和較高的精度切出更薄的晶片。
隨著IC工藝、技術(shù)的不斷發(fā)展,為了提高硅切片的加工精度和減少切口材料的損耗及提高生產(chǎn)效率,目前,在直徑大于100mm的硅切片加工中,尤其是在對直徑大于200mm以上的硅單晶棒切片加工中,已廣泛采用線切割系統(tǒng)來加工硅切片。
線切割技術(shù)是指在線切割裝置上采用通過一根鋼線(典型的為120μm),順序纏繞2或4個(gè)導(dǎo)輪而形成的“鋼絲線網(wǎng)”(導(dǎo)輪上刻有精密的線槽),單晶棒兩側(cè)的砂漿噴嘴將砂漿切削液噴在“鋼絲線網(wǎng)”上,導(dǎo)輪的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)“鋼絲線網(wǎng)”將砂漿帶到單晶棒里,鋼絲將研磨砂緊壓在單晶棒的表面上進(jìn)行研磨式的切割,單晶棒同時(shí)慢速地往下運(yùn)動(dòng)被推過“鋼絲線網(wǎng)”,經(jīng)過幾個(gè)小時(shí)的磨削切割加工,可使這根硅單晶棒一刀一次被切割成許多相同厚度的硅片。
如圖1、圖2和圖3所示,線切割裝置主要包括刻有線槽的導(dǎo)輪1,纏繞在導(dǎo)輪1上的鋼絲線網(wǎng)2,承載硅單晶棒5的工作臺3,砂漿噴嘴4。
采用線切割技術(shù)進(jìn)行切片加工其生產(chǎn)效率高、切縫損耗小、表面損傷小、表面加工精度高(翹曲度可達(dá)到Warp<10μm),故更適合大直徑硅單晶的切片加工。
以加工直徑200mm硅單晶為例,切片厚度為800μm,每公斤單晶出片約為13.4片,其切割成本每片約為$1.51美元,線切割機(jī)的產(chǎn)量約是內(nèi)圓切割機(jī)的5倍以上,線切割機(jī)的切割運(yùn)行成本將可低于內(nèi)圓切割機(jī)運(yùn)行成本的20%以上。
但是,上述線切割方法中,線切割系統(tǒng)的所述導(dǎo)輪上刻有的線槽是均勻分布的,這就決定了該導(dǎo)輪上所纏繞的鋼絲線網(wǎng)也是均勻分布的,鋼絲的間距是固定不變的。
這樣,在硅片線切割過程中,由于鋼線在不斷的磨損,使鋼線的直徑逐漸變小,一般一次一刀切割完成一根硅單晶棒后,鋼線直徑至少要減少20μm。由于鋼線直徑的減小,其切縫的損耗變小,少切的部分就加在了切片的厚度上,相對于切片來說,切片的厚度也就必然隨鋼絲直徑的逐漸變小而逐漸增加,因切縫變小使該節(jié)省的材料并未得到利用,而是浪費(fèi)到了切片的厚度上,并致使一刀一次切割成的每片切片的厚度不相同,而存在較大的厚度偏差。
因此,在加工方法和裝置上需要改進(jìn)。
有鑒于此,特提出本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種改進(jìn)的硅片線切割方法及其裝置,確保將硅單晶棒一刀一次被切割成數(shù)個(gè)厚度完全相同的硅片,提高切片數(shù)量,增加經(jīng)濟(jì)效益。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用技術(shù)方案的基本構(gòu)思是:一種硅片線切割方法,通過一根鋼線來回順序纏繞2或4個(gè)開有線槽的導(dǎo)輪而形成鋼絲線網(wǎng),對硅單晶棒進(jìn)行切割,其特征在于:利用鋼絲在切割過程中的磨損而直徑變小的原理,對所述纏繞在導(dǎo)輪上的鋼絲線網(wǎng),采用自鋼線纏繞導(dǎo)輪開始,按順序逐漸加密的方法,對硅單晶棒進(jìn)行切割,使該鋼絲線網(wǎng)的逐漸加密量補(bǔ)償因鋼線磨損后的直徑減小而導(dǎo)致被切割硅片厚度的增加量,從而將該硅單晶棒一刀一次切割成數(shù)百個(gè)厚度完全相同的硅片,在與現(xiàn)有導(dǎo)輪開槽長度相同的條件下,相應(yīng)地增加切割硅片的數(shù)量。
一種實(shí)施上述硅片線切割方法的裝置,包括開有線槽的導(dǎo)輪,纏繞在導(dǎo)輪上的鋼絲線網(wǎng),其特征在于:所述導(dǎo)輪上的開槽槽距為不相等的開槽槽距,該不相等的開槽槽距是自鋼線纏繞導(dǎo)輪開始,沿導(dǎo)輪的長度方向上依次減小。其中:
所述導(dǎo)輪上的開槽槽距不相等,是沿導(dǎo)輪長度方向上,自鋼線繞在導(dǎo)輪上的第一個(gè)線槽開始,相鄰兩個(gè)線槽的開槽槽距依次減小,該減小的槽距與鋼線經(jīng)其前一線槽磨損后的直徑大小相適應(yīng)。或者,
所述導(dǎo)輪上的開槽槽距不相等,是沿導(dǎo)輪長度方向上,分段設(shè)置不相等的開槽槽距,其分段數(shù)量為兩段以上,在每一段上有數(shù)個(gè)開槽槽距相等的線槽,而相鄰兩段上的開槽槽距,自鋼線繞在導(dǎo)輪上的第一段開始依次減小,每段減小的開槽槽距與鋼線經(jīng)其前一段磨損后的直徑大小相適應(yīng)。
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