[發明專利]薄膜晶體管和有機發光二極管顯示器及它們的制造方法

有效

• 申請號: 200810131753.0
• 申請日: 2008-06-27
• 公開（公告）號: CN101335302A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發明（設計）人: 梁泰勛;樸炳建;徐晉旭;李基龍;李吉遠
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/36;H01L21/336;H01L27/32;H01L21/82
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種薄膜晶體管，包括：

基板；

半導體層，設置在所述基板上，包括溝道區以及源和漏區，且利用金屬 催化劑被結晶；

柵電極，設置得對應于所述半導體層的預定區域；

柵絕緣層，設置在所述柵電極和所述半導體層之間以使所述半導體層與 所述柵電極絕緣；以及

源和漏電極，電連接到所述半導體層的所述源和漏區，

其中所述金屬催化劑以在垂直方向上距所述半導體層的表面以內 超過0且不超過6.5×10¹⁷原子每cm³的濃度存在于所述半導體層的所述溝道 區中，并且所述金屬催化劑的濃度在沿垂直方向距所述半導體層的表面超過 的位置處超過6.5×10¹⁷原子每cm³。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述半導體層通過超顆粒硅法 被結晶。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管具有超過0 且不超過4.0×10^-13A/μm的每單位長度1μm的電流泄漏值I_off(A/μm)。

4.一種制造薄膜晶體管的方法，包括：

形成基板；

在所述基板上形成包括溝道區以及源和漏區的半導體層，該半導體層使 用金屬催化劑被結晶；

形成柵電極，該柵電極設置得對應于所述半導體層的預定區域；

在所述柵電極和所述半導體層之間形成柵絕緣層以使所述半導體層與 所述柵電極絕緣；以及

形成分別電連接到所述半導體層的源和漏區的源和漏電極；

其中所述金屬催化劑以在垂直方向上距所述半導體層的表面以內 超過0且不超過6.5×10¹⁷原子每cm³的濃度存在于所述半導體層的所述溝道 區中，并且所述金屬催化劑的濃度在沿垂直方向距所述半導體層的表面超過 的位置處超過6.5×10¹⁷原子每cm³。

5.如權利要求4所述的方法，其中所述半導體層通過超顆粒硅法被結 晶。

6.如權利要求4所述的方法，其中所述薄膜晶體管具有超過0且不超過 4.0×10^-13A/μm的每單位長度1μm的電流泄漏值I_off(A/μm)。

7.一種有機發光二極管顯示器，包括：

基板；

半導體層，設置在所述基板上，包括溝道區以及源和漏區，且利用金屬 催化劑被結晶；

柵電極，設置得對應于所述半導體層的所述溝道區；

柵絕緣層，設置在所述柵電極和所述半導體層之間以使所述半導體層與 所述柵電極絕緣；

源和漏電極，分別電連接到所述半導體層的所述源和漏區，

第一電極，電連接到所述源和漏電極中的一個；

有機層，包括發光層，設置在所述第一電極上；以及

第二電極，設置在所述有機層上，

其中所述金屬催化劑以在垂直方向上距所述半導體層的表面以內 超過0且不超過6.5×10¹⁷原子每cm³的濃度存在于所述半導體層的所述溝道 區中，并且所述金屬催化劑的濃度在沿垂直方向距所述半導體層的表面超過 的位置處超過6.5×10¹⁷原子每cm³。

8.如權利要求7所述的有機發光二極管顯示器，其中所述半導體層通過 超顆粒硅法被結晶。

9.如權利要求7所述的有機發光二極管顯示器，其中所述薄膜晶體管具 有超過0且不超過4.0×10^-13A/μm的每單位長度1μm的電流泄漏值I_off(A/μm)。