[發(fā)明專利]氮化鎵晶體生長方法、氮化鎵晶體襯底、外延晶片制造方法和外延晶片無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810131104.0 | 申請日： | 2008-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN101353819A | 公開（公告）日： | 2009-01-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 藤田俊介 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;C30B29/40;C30B25/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 梁曉廣;陸錦華 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化 晶體生長 方法 晶體 襯底 外延 晶片 制造 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種氮化鎵晶體生長方法，其中，采用載氣、氮化鎵前驅(qū)物和含作為摻雜劑的硅的氣體，通過氫化物氣相外延在下襯底上生長氮化鎵晶體，該方法的特征在于，在所述氮化鎵晶體生長期間所述載氣的露點為-60℃或以下。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體生長方法，其中，在所述氮化鎵晶體生長期間，所述載氣的分壓強在0.56atm和0.92atm之間。
3.一種通過如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體生長方法所獲得的氮化鎵晶體襯底，包括：
下襯底；以及
在所述下襯底上形成的氮化鎵晶體。
4.一種外延晶片制造方法，包括：
通過如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體生長方法在下襯底上生長氮化鎵晶體的步驟；
移除至少所述下襯底以形成由氮化鎵晶體組成的襯底的步驟；
在所述襯底上形成外延生長層的步驟；以及
對其上形成外延生長層的所述襯底的表面的相對側(cè)的襯底表面進行處理，用于減小厚度的步驟。
5.一種通過如權(quán)利要求4所述的外延晶片制造方法制造的外延晶片，包括：
襯底；以及
在所述襯底上形成的外延生長層。
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