[發明專利]漿料成分及利用其的CMP方法

無效

• 申請號: 200810131102.1
• 申請日: 2004-12-13
• 公開（公告）號: CN101345209A
• 公開（公告）日: 2009-01-14
• 發明（設計）人: 崔在光;李在東;洪昌基
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/321;H01L21/304;C09G1/02;C09G1/16
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 黃啟行;陸錦華

1.一種除去形成在包括停止層的圖形上的多晶硅層的上部的方法，包括：

采用研磨漿料拋光多晶硅層以除去多晶硅層的上部，形成拋光的多晶硅表面，并暴露停止層的上表面，拋光的多晶硅表面和暴露的停止層的表面基本上共平面，其中

該研磨漿料包括選擇地在多晶硅層上形成鈍化層的非離子表面活性劑，以及

其中：

非離子表面活性劑包括一種或多種選自：通過化學式I

CH₃-(CH₂)_n-(CH(CH₃)CH₂O)_y-(CH₂CH₂O)_x-OH????????(I)

表示的環氧乙烷-環氧丙烷嵌段共聚物醇；

通過化學式II

R₂-C₆H₄O-(CH(CH₃)CH₂O)_y-(CH₂CH₂O)_x-OH??????????(II)

表示的環氧乙烷-環氧丙烷嵌段共聚物芳基醇，

其中

R₂為-C₉H₁₉或-C₈H₁₇；

通過化學式III

(CH₂CH₂O)_z-(CH(CH₃)CH₂O)_y-(CH₂CH₂O)_x-OH????????(III)

表示的環氧乙烷-環氧丙烷-環氧乙烷三嵌段聚合物；

和

由化學式IV

(CH(CH₃)CH₂O)_z-(CH₂CH₂O)_y-(CH(CH₃)CH₂O)_x-OH????(IV)

表示的環氧丙烷-環氧乙烷-環氧丙烷三嵌段聚合物，

其中

n為滿足關系式3≤n≤22的整數；

z為滿足關系式1≤z≤30的整數；

y為滿足關系式1≤y≤30的整數；和

x為滿足關系式1≤x≤30的整數。