[發明專利]導電膜、電子發射器件和圖像顯示設備

無效

• 申請號: 200810129452.4
• 申請日: 2008-07-31
• 公開（公告）號: CN101359567A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發明（設計）人: 寺田匡宏;小島誠;巖城孝志;水江雄;伊部剛
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01J29/04
• 分類號: H01J29/04;H01B5/14
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 魏小薇

技術領域

本發明涉及導電膜、電子發射器件和使用導電膜的圖像顯示設備。

背景技術

常規上，用于制造表面傳導電子發射器件的一般方法涉及使導電膜經受被稱為電流源形成的電流源處理，從而在導電膜中形成電子發射部分。

本發明的發明人提出了一種用于形成導電膜的方法，該方法在用于制造表面傳導電子發射器件的方法中對于大的面積具有有利的效果。這種方法的一個例子包括利用旋涂器對襯底的表面涂覆包含有機金屬的液體，在襯底上形成所需形狀的圖案，以及在加熱下分解該有機金屬，從而獲得導電膜。此外，日本專利申請特開No.8-171850提出了一種通過借助于噴墨對襯底表面施加包含有機金屬的液體的小滴來形成所需形狀的導電膜的方法。

由前述方法形成的導電膜是一種由金屬或金屬氧化物的細顆粒形成的膜，或者是一種其中細顆粒濃密連續的膜。

借助于控制導電膜的組成材料和膜厚，導電膜的電阻被這樣控制，使得落在電子發射器件的優選的范圍內。從電流源形成和電子發射效率的觀點看來，需要所述范圍從幾納米到幾十納米。

即使膜是薄的，導電膜的電阻的差異也必須被限制，以便穩定電子發射特性并抑制其中的任何差異。此外，導電膜必須具有高達從10K到幾百KΩ/□的方塊電阻。

不過，在由前述的方法形成的導電膜包括金屬作為其主要成分并具有幾納米或更小的厚度的情況下，其電阻相當地不同，因此這種導電膜不適用于實際的使用。即使這種膜具有幾納米或更大的厚度和穩定的電阻，其方塊電阻也將是幾個KΩ/□之低。同樣，當膜包括金屬氧化物作為主要成分并具有幾納米或更小的厚度的情況下，電阻的改變相當大，因而這種膜不適合于實際使用。即使這種膜具有幾納米或更大的厚度和穩定的電阻，其電阻也大大地受到附著于膜表面的濕氣或類似物的影響。即使膜在真空中被烘干以便穩定，但部分膜將被脫氧化，這使得不能穩定地獲得方塊電阻從10K到幾百KΩ/□之高的導電膜。因此，其中設置有一個以上的電子發射器件的電子源遭受電子發射特性差異大的問題。

即使在其中電子源和熒光物質被彼此相對設置的圖像顯示設備中，電子發射特性的差異也導致例如圖像質量劣化之類的問題。

發明內容

本發明是考慮到以上討論的問題而提出的，因而本發明的一個目的是，提供一種導電膜，其具有從幾納米到幾十納米的厚度，從10K到幾百KΩ/□的高的電阻，并具有低的電阻差異。

本發明的另一個目的是提供：一種高質量的電子發射器件，其使用電阻高但電阻差異性低的導電膜；一種電子源，其中設置有質量一致的多個電子發射器件；以及使用這種電子源的圖像顯示設備。

附圖說明

圖1A示意地示出具有根據本發明的導電膜的電子發射器件的例子的平面圖；

圖1B是所述器件的截面圖；

圖2A是示出形成電壓的一個例子的圖；

圖2B是示出形成電壓的另一個例子的圖；

圖3A是示出激活電壓的一個例子的圖；

圖3B示出激活電壓的另一個例子的圖；

圖4是示意地示出由圖1所示的電子發射器件形成的以矩陣形式用導線連接在一起的電子源的平面圖；

圖5是示意地示出圖像形成設備的配置的一個例子的透視圖；

圖6A是示意地示出圖像形成設備的熒光膜的一個例子的視圖；以及

圖6B是示意地示出圖像形成設備的熒光膜的另一個例子的視圖。

具體實施方式

按照本發明的第一方面，提供一種由金屬或合金在襯底上形成的厚度為3納米到50納米的導電膜，其中該襯底的密度對該金屬或合金塊體的密度的比是從0.2到0.5，該襯底的電阻率對該金屬或合金塊體的電阻率的比是從100到100000。

按照本發明的第二方面，提供一種在襯底上由金屬或合金形成的厚度為3納米到50納米的導電膜，其中該金屬或合金的膜具有各向異性的結構，使得顆粒沿著膜的厚度比沿著膜的平面更加連續。

按照本發明的第三方面，提供一種在襯底上由合金形成的厚度從3納米到50納米的導電膜，其中合金的膜由至少兩種或更多種元素構成，所述元素從過渡金屬組A(Ni和Co)以及貴金屬組B(Pd，Pt，Ir，和Rh)中選擇，在所述合金中組A材料對組B材料的元素比是2或更高。

按照本發明的另一方面，提供一種電子發射器件，其具有按照本發明第一到第三方面任何一個的導電膜，并提供一種具有所述電子發射器件的圖像顯示設備。