[發明專利]傳熱介質以及使用該傳熱介質的傳熱方法

無效

• 申請號: 200810129249.7
• 申請日: 2008-06-26
• 公開（公告）號: CN101381597A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發明（設計）人: 尹善美;崔在榮;申鉉振;李廷健;樸鐘勉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: C09K5/08
• 分類號: C09K5/08;C08J7/06;H01L21/00;H01L31/18
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉奕晴;韓明星

1、一種用于目標對象的傳熱介質，包括:

膜，所述膜包括多個納米粒子，其中納米粒子有效地吸收入射到膜上的光，所述膜用于將由于光的吸收而產生的熱量傳遞到目標對象。

2、如權利要求1所述的傳熱介質，其中，納米粒子被直接施加到目標對象上。

3、如權利要求2所述的傳熱介質，其中，在傳熱之后，通過蝕刻從目標對象上去除納米粒子。

4、如權利要求1所述的傳熱介質，其中，納米粒子被施加到目標對象上的中間層上。

5、如權利要求1所述的傳熱介質，其中，所述膜被設置在紅外透明膜上。

6、如權利要求1所述的傳熱介質，其中，納米粒子是金、銅、銀、鈦、鋁、鈀、鉑、銠、銥、鐵、鎢、鎳或者它們的組合。

7、如權利要求1所述的傳熱介質，其中，納米粒子按照圖案布置，從而將熱量傳遞到與圖案相應的特定部分。

8、如權利要求1所述的傳熱介質，其中，根據入射光的波長調整納米粒子的尺寸來控制傳熱，從而使得在特定波長吸收率具有最大值。

9、如權利要求1所述的傳熱介質，其中，入射到膜上的光處于可見范圍或NIR范圍。

10、如權利要求1所述的傳熱介質，其中，所述傳熱介質用于施加到塑料基底或玻璃基底的膜的退火工藝中，所述膜設置在塑料基底上或玻璃基底上。

11、如權利要求10所述的傳熱介質，其中，施加到塑料基底或玻璃基底的膜包括有機材料、金屬、碳或無機材料。

12、如權利要求10所述的傳熱介質，其中，塑料基底涂敷有氧化鈦漿料。

13、一種使用如權利要求1所述的傳熱介質的傳熱方法。

14、一種用于對象目標的傳熱方法，所述方法包括如下步驟:

形成包括多個納米粒子的膜；

將所述膜暴露給光；

將熱量傳遞到目標對象，所述熱量是由于納米粒子吸收入射的光而產生的。

15、如權利要求14所述的傳熱方法，其中，在形成包括多個納米粒子的膜的工藝中，納米粒子被直接施加到目標對象上以形成所述膜。

16、如權利要求15所述的傳熱方法，還包括:在傳熱之后通過蝕刻從目標對象上去除納米粒子。

17、如權利要求14所述的傳熱方法，其中，在形成包括多個納米粒子的膜的工藝中，納米粒子被施加到目標對象上的中間層上，以形成所述膜。

18、如權利要求14所述的傳熱方法，其中，在形成包括多個納米粒子的膜的工藝中，所述膜被設置在紅外透明膜上。

19、如權利要求14所述的傳熱方法，其中，在形成包括多個納米粒子的膜的工藝中，納米粒子是金、銅、銀、鈦、鋁、鈀、鉑、銠、銥、鐵、鎢、鎳或者它們的組合。

20、如權利要求14所述的傳熱方法，其中，在形成包括多個納米粒子的膜的工藝中，納米粒子按照圖案布置，從而將熱量傳遞到目標對象的與所述圖案相應的特定部分。

21、如權利要求14所述的傳熱方法，其中，在形成包括多個納米粒子的膜的工藝中，通過調整納米粒子的尺寸的方式來控制傳熱，從而在特定的波長吸收率具有最大值。

22、如權利要求14所述的傳熱方法，其中，在將所述膜暴露給光的步驟中，所述入射光在可見范圍內或者在NIR范圍內。

23、如權利要求14所述的傳熱方法，其中，在施加到塑料或玻璃基底的膜的退火工藝中使用在所述傳熱方法中使用的傳熱介質。

24、如權利要求23所述的傳熱方法，其中，施加到塑料或玻璃基底的膜包括有機材料、金屬、碳或無機材料。

25、如權利要求23所述的傳熱方法，其中，所述塑料基底涂敷有在光電電池中使用的氧化鈦漿料。