[發明專利]具自對準電極結構的功能性陣列元件及其制造方法

有效

• 申請號: 200810128535.1
• 申請日: 2008-06-19
• 公開（公告）號: CN101609835A
• 公開（公告）日: 2009-12-23
• 發明（設計）人: 侯智升;侯維新
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種具有自對準電極結構的功能性陣列元件，包括：

透明基板；

圖案化陣列式第一下電極設置于該透明基板上；

圖案化絕緣層設置于該透明基板和該第一下電極上，露出一部分的該第一下電極；

圖案化的第二下電極設置于該絕緣層上，且圖案化的第二下電極的內緣與該第一下電極的邊緣重疊；

間隙壁結構設置于該絕緣層上，且自對準地形成于該第一下電極和該第二下電極的遮蓋區域之外；

功能性結構層設置于該間隙壁結構所定義的像素陣列區域中；

圖案化上電極設置于該功能結構層上，位于對應該像素陣列區域，以及

保護層設置于該圖案化上電極上，覆蓋該具有自對準電極結構的功能性陣列元件。

2.如權利要求1所述的具有自對準電極結構的功能性陣列元件，其中該第一下電極于各像素區域為圓形，沿第一方向串連，延伸至周邊區域為接觸墊。

3.如權利要求1所述的具有自對準電極結構的功能性陣列元件，其中該圖案化的第二下電極具有環形圖紋，沿第二方向串連，延伸至周邊區域為接觸墊。

4.一種具有自對準電極結構的功能性陣列元件的制造方法，包括：

提供透明基板；

形成圖案化陣列式第一下電極設置于該透明基板上；

形成圖案化絕緣層設置于該透明基板和該第一下電極上，露出一部分的第一下電極；

形成圖案化的第二下電極設置于該絕緣層上，且圖案化的第二下電極的內緣與該第一下電極的邊緣重疊；

涂布厚膜負型光致抗蝕劑于該透明基板上，覆蓋該圖案化陣列式第一下電極和該第二下電極；

以該圖案化陣列式第一下電極和該第二下電極為掩模，自該透明基板背?面提供曝光源，經過后烘烤及顯影后，在無電極的區域留下光致抗蝕劑，以定義間隙壁結構，自對準于該圖案化陣列式第一下電極和該第二下電極之間的間隙；

形成功能性結構層于該間隙壁結構所定義的像素陣列區域中；

形成圖案化上電極設置于該功能性結構層上，位于對應該像素陣列區域，以及

形成保護層設置于該圖案化上電極上，覆蓋該具有自對準電極結構的功能性陣列元件。

5.一種具有自對準電極結構的功能性陣列元件的制造方法，包括：

提供透明基板；

形成圖案化陣列式下電極于該透明基板上；

涂布厚膜負型光致抗蝕劑于該透明基板上，覆蓋該圖案化陣列式下電極；

以該圖案化陣列式下電極為掩模，自該透明基板背面提供曝光源，經過后烘烤及顯影后，在無電極的區域留下光致抗蝕劑，以定義間隙壁結構于該圖案化陣列式下電極之間的間隙，且與該圖案化陣列式下電極自對準；

形成犧牲層于該間隙壁結構及該圖案化陣列式下電極上；

形成壓阻膠體層于該犧牲層以及該間隙壁結構上；

形成圖案化上電極于該壓阻膠體層上，位于對應由間隙壁結構定義的像素陣列區域；

移除該犧牲層；以及

形成保護層設置于該圖案化上電極上，覆蓋該功能性陣列元件。

6.如權利要求5所述的具有自對準電極結構的功能性陣列元件的制造方法，還包括形成額外的壓阻膠體層于該圖案化陣列式下電極上。

7.一種具有自對準電極結構的功能性陣列元件的制造方法，包括：

提供透明基板；

形成圖案化陣列式下電極于該透明基板上；

涂布厚膜負型光致抗蝕劑于該透明基板上，覆蓋該圖案化陣列式下電極；

以該圖案化陣列式下電極為掩模，自該透明基板背面提供曝光源，經過后烘烤及顯影后，在無電極的區域留下光致抗蝕劑，以定義間隙壁結構于該圖案化陣列式下電極之間的間隙，且與該圖案化陣列式下電極自對準；?

形成壓阻膠體層于該圖案化陣列式下電極上；

形成犧牲層于該間隙壁結構及該壓阻膠體層上；

形成圖案化上電極于該犧牲層以及該間隙壁結構上，位于對應由間隙壁結構定義的像素陣列區域；

移除該犧牲層；以及

形成保護層設置于該圖案化上電極上，覆蓋該功能性陣列元件。?