[發明專利]將自組裝納米結構圖案化及形成多孔電介質的方法

無效

• 申請號: 200810128529.6
• 申請日: 2008-06-19
• 公開（公告）號: CN101335190A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發明（設計）人: 陳光榮;李偉健;楊海寧
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 宋莉

1.一種將使用共聚物形成的自組裝納米結構圖案化的方法，所述方法包括：

在下層上提供硬掩模；

用光刻膠在所述硬掩模上預限定待在所述圖案化過程中進行保護的區域；

在所述硬掩模和所述光刻膠上形成所述共聚物層；

由所述共聚物形成自組裝納米結構；和

蝕刻以將所述自組裝納米結構圖案化。

2.權利要求1的方法，其中所述光刻膠不溶于所述共聚物。

3.權利要求1的方法，其中所述光刻膠不溶于在所述蝕刻以將所述自組裝納米結構圖案化的過程中所使用的溶劑。

4.權利要求3的方法，其中所述溶劑包括丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)。

5.權利要求1的方法，其中所述自組裝納米結構的形成包括退火以引起所述共聚物的微相分離。

6.權利要求5的方法，其中所述自組裝納米結構包括在其中具有聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)柱的聚苯乙烯，并且其中所述蝕刻以將所述自組裝納米結構圖案化包括從所述聚苯乙烯除去所述PMMA柱。

7.權利要求1的方法，進一步包括通過除去所述光刻膠并使用所述硬掩模進行蝕刻以圖案化所述下層而將所述下層圖案化。

8.權利要求1的方法，其中所述下層包括電介質。

9.一種形成多孔介電層的方法，所述方法包括：

在下面的介電層上提供硬掩模；

用光刻膠在所述硬掩模上預限定待在圖案化過程中進行保護的區域；

在所述硬掩模和所述光刻膠上形成自組裝二嵌段共聚物層；

由所述自組裝二嵌段共聚物形成自組裝納米結構；

蝕刻以將所述自組裝納米結構圖案化和將所述硬掩模圖案化；

除去所述自組裝納米結構和所述光刻膠；和

使用所述硬掩模進行蝕刻以將下面的介電層圖案化。

10.權利要求9的方法，其中所述光刻膠不溶于所述二嵌段共聚物。

11.權利要求9的方法，其中所述光刻膠不溶于在所述蝕刻以將所述自組裝納米結構圖案化的過程中使用的溶劑。

12.權利要求11的方法，其中所述溶劑包括丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)。

13.權利要求9的方法，其中所述光刻膠包括經交聯的材料。

14.權利要求9的方法，其中所述自組裝納米結構的形成包括退火以引起所述自組裝二嵌段共聚物的微相分離。

15.權利要求14的方法，其中所述自組裝納米結構包括其中具有聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)柱的聚苯乙烯，并且其中所述蝕刻以將所述自組裝納米結構圖案化包括從所述聚苯乙烯除去所述PMMA柱。

16.權利要求9的方法，進一步包括通過除去所述光刻膠并使用所述硬掩模進行蝕刻以圖案化所述下面的介電層而將所述下層圖案化。

17.一種形成多孔介電層的方法，所述方法包括：

在下面的介電層上提供硬掩模；

用光刻膠在所述硬掩模上預限定待在圖案化過程中進行保護的區域；

在所述硬掩模和所述光刻膠上形成自組裝二嵌段共聚物層，所述光刻膠不溶于所述二嵌段共聚物；

退火以引起所述自組裝二嵌段共聚物的微相分離以形成自組裝納米結構；

蝕刻以將所述自組裝納米結構圖案化和將所述硬掩模圖案化；

除去所述自組裝納米結構和所述光刻膠；和

使用所述硬掩模進行蝕刻以將下面的介電層圖案化。

18.權利要求17的方法，其中所述光刻膠不溶于在所述蝕刻以將所述自組裝納米結構圖案化的過程中所使用的溶劑。

19.權利要求18的方法，其中所述溶劑包括丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)。

20.權利要求17的方法，其中所述自組裝納米結構包括其中具有聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)柱的聚苯乙烯，并且其中所述蝕刻以將所述自組裝納米結構圖案化包括從所述聚苯乙烯除去所述PMMA柱。