[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810127244.0 | 申請(qǐng)日: | 2008-06-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101393956A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 海野恒弘;新井優(yōu)洋 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 日立電線株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 鐘 晶 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種發(fā)光裝置,其具備:
含有發(fā)光層的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu);
在所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的一個(gè)表面上形成的上部電極;
中心與所述上部電極的中心對(duì)應(yīng),形成在所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的另一表面上的除了所述上部電極的正下方區(qū)域以外的區(qū)域中,至少一部分的形狀與所述上部電極的外周形狀相似的界面電極;
在所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的所述另一表面上的除了形成所述界面電極的區(qū)域之外的區(qū)域上形成的、可透過(guò)所述發(fā)光層發(fā)出的光的電流阻止層;
設(shè)置于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的所述另一表面?zhèn)?,與所述界面電極電連接,使所述發(fā)光層發(fā)出的光中的透過(guò)所述電流阻止層的光反射至所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的所述一個(gè)表面?zhèn)鹊姆瓷鋵樱?/p>
在所述反射層的所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的相反側(cè),與所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)電連接的導(dǎo)電性的支撐基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其中,所述上部電極形成為圓形,所述界面電極形成為環(huán)狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置,其中,形成環(huán)狀的所述界面電極被形成為具有環(huán)形,且所述環(huán)形的界面電極的中心與所述上部電極的中心相一致。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置,其中,
所述上部電極具有圓形或多角形的焊盤(pán)電極部,以及在上部與所述焊盤(pán)電極部電連接,在下部與所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的所述一個(gè)表面電接合,向所述發(fā)光層供電的接觸電極部,
所述焊盤(pán)電極部在除了與所述接觸電極部連接的區(qū)域之外的區(qū)域上,與所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置,其中,
所述上部電極具有:
圓形或多角形的焊盤(pán)電極部;
在上部與所述焊盤(pán)電極部電連接,在下部與所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的所述一個(gè)表面電接合,向所述發(fā)光層供電的接觸電極部;
在除了所述焊盤(pán)電極部與所述接觸電極部連接的區(qū)域之外的區(qū)域上,覆蓋所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的所述一個(gè)表面,所述發(fā)光層發(fā)出的光可透過(guò)的電流阻止部。
6.一種發(fā)光裝置,其具備:
含有發(fā)光層的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu);
在所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的一個(gè)表面上形成的環(huán)形的上部電極;
在所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的另一表面上設(shè)置的導(dǎo)電性支撐基板;
在所述導(dǎo)電性支撐基板的所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)一側(cè)的表面上形成的反射層;
在所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的所述另一表面和所述反射層的界面上、與所述環(huán)形的所述上部電極同心地形成、直徑大于所述環(huán)形的所述上部電極的環(huán)形的界面電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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