[發明專利]一種硅雙向觸發二極管的制造方法

無效

• 申請號: 200810122237.1
• 申請日: 2008-11-13
• 公開（公告）號: CN101399201A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發明（設計）人: 陳福元;毛建軍;胡煜濤
• 申請（專利權）人: 杭州杭鑫電子工業有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/78;H01L21/50
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司
• 代理人: 張法高

1.一種硅雙向觸發二極管的制造方法，其特征在于包括如下步驟：

1)在N-型硅單晶片的正反兩個面上同時完成P+型半導體雜質擴散，得到P+/N-/P+結構；

2)研磨P+/N-/P+結構硅片的正反兩個表面；

3)在P+/N-/P+結構硅片的正反兩個表面鍍上鎳層；

4)將P+/N-/P+結構的硅片鋸切成二極管芯片；

5)通過隧道爐將二極管芯片與封裝底座焊接；

6)進行二極管垂直臺面的酸腐蝕清洗，PN結的表面鈍化，壓模成型，制成硅雙向觸發二極管。

2.根據權利要求1所述的一種硅雙向觸發二極管的制造方法，其特征在于所述的N-型硅單晶片的電阻率為0.03～0.05Ωcm。

3.根據權利要求1所述的一種硅雙向觸發二極管的制造方法，其特征在于所述的研磨為機械研磨。

4.根據權利要求1所述的一種硅雙向觸發二極管的制造方法，其特征在于所述的P+型半導體雜質為硼。

5.根據權利要求1所述的一種硅雙向觸發二極管的制造方法，其特征在于所述的鋸切成二極管芯片的四周PN結呈現垂直于芯片表面的臺面形狀。

6.根據權利要求1所述的一種硅雙向觸發二極管的制造方法，其特征在于所述的PN結的酸腐蝕清洗與表面鈍化，皆在二極管的垂直臺面上進行。