[發明專利]一種氣體分配裝置及采用該氣體分配裝置的等離子體處理設備有效
| 申請號: | 200810116796.1 | 申請日: | 2008-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN101315880A | 公開(公告)日: | 2008-12-03 |
| 發明(設計)人: | 姚立強 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00;C23C16/455;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 100016*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氣體 分配 裝置 采用 等離子體 處理 設備 | ||
1.一種氣體分配裝置,其特征在于,包括:進氣板、嵌入式分配板和下分配板;其中,所述進氣板設有進氣通路、以及與進氣通路連通的容置部,所述嵌入式分配板嵌入容置部內;下分配板位于進氣板的下面,將嵌入式分配板封裝在所述容置部內;
所述嵌入式分配板包括與所述進氣通路相對的上表面,所述上表面中具有均勻分布的分配通路;所述嵌入式分配板還包括位于所述上表面周圍的側表面,所述側表面中具有均勻分布的分配通路;所述上表面和側表面之間形成有內腔,所述內腔和下分配板之間具有間隙;所述上表面和側表面與容置部之間均具有間隙。
2.根據權利要求1所述的氣體分配裝置,其特征在于,嵌入式分配板的所述上表面與容置部之間的間隙沿著氣體在該間隙中流動的方向逐漸減小。
3.根據權利要求1或2所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述嵌入式分配板包括第一分配板和圍繞在所述第一分配板外的第二分配板;所述容置部包括用于嵌入第一分配板的第一容置部和用于嵌入第二分配板的第二容置部;所述進氣通路包括中間進氣通路和邊緣進氣通路;所述第一容置部與中間進氣通路連通,所述第二容置部與邊緣進氣通路連通。
4.根據權利要求3所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述第一分配板為圓盤形,所述第二分配板為圓環形,所述第二分配板圍繞在第一分配板的圓周外。
5.根據權利要求1所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述嵌入式分配板的上表面中具有至少一個形狀與嵌入式分配板的形狀相同的凹槽,所述凹槽的中心與進氣通路的中心重合。
6.根據權利要求1所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述容置部與嵌入式分配板的上表面相對的表面中具有至少一個形狀與嵌入式分配板的形狀相同的凹槽,所述凹槽的中心與進氣通路的中心重合。
7.根據權利要求1或2所述的氣體分配裝置,其特征在于,在所述嵌入式分配板中,對應嵌入式分配板的所述上表面與容置部之間的較小間隙位置的分配通路尺寸大于對應嵌入式分配板的所述上表面與容置部之間的較大間隙位置的分配通路尺寸。
8.根據權利要求1或2所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述分配通路沿圓周方向均勻分布,其截面形狀為圓形、四邊形、三角形或其組合。
9.一種等離子體處理設備,其特征在于,至少包括如權利要求1至8任一項所述的氣體分配裝置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司,未經北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810116796.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:雙通道聲表面波濾波器
- 下一篇:模擬操作裝置與應用于其上的操作方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





