[發明專利]氨基二乙酸插層結構選擇性紅外吸收材料及其制備方法無效
| 申請號: | 200810114882.9 | 申請日: | 2008-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN101289220A | 公開(公告)日: | 2008-10-22 |
| 發明(設計)人: | 李殿卿;王麗靜;徐向宇;林彥軍 | 申請(專利權)人: | 北京化工大學 |
| 主分類號: | C01G1/00 | 分類號: | C01G1/00 |
| 代理公司: | 北京思海天達知識產權代理有限公司 | 代理人: | 何俊玲 |
| 地址: | 100029北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氨基 乙酸 結構 選擇性 紅外 吸收 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種氨基二乙酸插層結構選擇性紅外吸收材料,簡寫為:IDAs-LDHs,其為超分子結構,晶體結構為類水滑石材料的晶體結構,其化學式為:
(M2+)1-x(M3+)x(OH)2(A2-)a(Bn-)b·mH2O
其中M2+是Zn2+、Mg2+、Ni2+、Cu2+、Fe2+、Co2+、Ca2+、Mn2+中的任何一種或兩種。M3+是Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Co3+、Ga3+、Ti3+中的任何一種;
A代表氨基二乙酸類化合物,簡寫為IDAs,A是亞氨基二乙酸(IDA)、N-(2-乙基)亞氨基二乙酸(HIDA)、甲基亞氨二乙酸(MIDA)中的任何一種;
Bn-為荷電量為n的無機陰離子,IDAs-LDHs化學式中Bn-可以不存在或為CO32-、NO3-、Cl-、Br-、I-、OH-、H2PO4-中的任何一種、二種或三種;
0.1<X<0.8;a、b分別為A2-和Bn-的數量,2a+n×b=X;
m為結晶水數量,0.01<m<4。
2.根據權利要求1所述的氨基二乙酸插層結構選擇性紅外吸收材料,其特征是所述的M2+是Zn2+、Mg2+、Cu2+、Fe2+、Ca2+、Mn2+中的任何一種或兩種,M3+是Al3+、Co3+、Fe3+。
3.根據權利要求1所述的氨基二乙酸插層結構選擇性紅外吸收材料,其特征是所述的M2+是Zn2+和/或Mg2+,M3+是Al3+。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京化工大學,未經北京化工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810114882.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





