[發明專利]光刻設備焦距監測方法

有效

• 申請號: 200810113998.0
• 申請日: 2008-05-30
• 公開（公告）號: CN101592870A
• 公開（公告）日: 2009-12-02
• 發明（設計）人: 楊金坡
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 李 麗

1.一種曝光設備焦距的監測方法，其特征在于，包括：

提供掩模板，在所述掩模板上具有測試圖形；

提供至少一半導體襯底，在所述半導體襯底上形成光刻膠層；

對于所述的測試圖形，利用所述曝光設備的不同焦距，在所述光刻 膠層中形成不同的測試圖案；

測量每一測試圖案的光譜圖；

建立每一光譜圖與其對應的測試圖案的焦距之間的映射關系；

提供具有測試圖形的掩模板和具有光刻膠層的襯底；

通過所述的曝光設備、利用所述掩模板對所述光刻膠層執行曝光工 藝，在所述光刻膠層中形成測試圖案；

測量所述光刻膠層中的測試圖案的光譜圖；

根據曝光設備的不同焦距與利用該不同焦距曝光而形成的測試圖 案的光譜圖之間的映射關系，獲得所述光刻膠層中的測試圖案的光譜圖 相應的曝光焦距。

2.如權利要求1所述的曝光設備焦距的監測方法，其特征在于， 進一步包括：根據所述的映射關系形成映射關系數據庫。

3.如權利要求1所述的曝光設備焦距的監測方法，其特征在于： 所述測試圖案形成于不同半導體襯底的光刻膠層中或同一半導體襯底 的光刻膠層沿表面方向的不同區域。

4.如權利要求1所述的曝光設備焦距的監測方法，其特征在于， 進一步包括：建立每一測試圖案的側壁輪廓剖面圖與該測試圖案的光譜 圖之間的映射關系數據庫。

5.如權利要求4所述的曝光設備焦距的監測方法，其特征在于， 進一步包括：將測量獲得的光譜圖輸入測試圖案的側壁輪廓剖面圖與其 光譜圖之間的映射關系數據庫，獲得該測試圖案的側壁輪廓。

6.如權利要求1至5任一權利要求所述的曝光設備焦距的監測方 法，其特征在于：利用橢圓偏光法測量測試圖案的光譜圖。

7.如權利要求1所述的曝光設備焦距的監測方法，其特征在于， 進一步包括：測量每一測試圖案的線寬；建立每一光譜圖與其對應的測 試圖案的線寬之間的映射關系數據庫；

并在所述光刻膠層中形成測試圖案的步驟之后，測量所述測試圖案 的線寬；

擬合所述測試圖案的線寬與焦距的函數關系；

根據所述函數關系計算線寬最大值時對應的焦距。

8.如權利要求7所述的曝光設備焦距的監測方法，其特征在于： 所述擬合為二次擬合。