[發(fā)明專利]制作光感應(yīng)器的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810108414.0
• 申請日: 2008-05-27
• 公開（公告）號: CN101281887A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石靖節(jié);卓恩宗;彭佳添;林昆志
• 申請（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種于非晶硅薄膜晶體管面板上制作光感應(yīng)器的方法，該方法包括：

提供一基板，其包括一薄膜晶體管區(qū)域以及一光感應(yīng)區(qū)域；

于所述的基板上形成一圖案化第一導(dǎo)電層，該圖案化第一導(dǎo)電層包括一薄膜晶體管的一柵極，設(shè)于該薄膜晶體管區(qū)域；

于所述的基板與所述的柵極表面形成一柵極介電層；

于所述的柵極上方的所述的柵極介電層表面形成一圖案化非晶硅層；

于所述的基板上形成一圖案化第二導(dǎo)電層，其包括所述的薄膜晶體管的一源極與一漏極以及一光感應(yīng)器的一下電極，且該源極與該漏極是設(shè)于所述的柵極的上方，而所述的下電極是設(shè)于所述的光感應(yīng)區(qū)域；

于所述的基板上形成一圖案化富硅介電層，該圖案化富硅介電層包括設(shè)于所述的光感應(yīng)區(qū)域且電性連接所述的下電極，且所述的圖案化富硅介電層至少暴露部分所述的漏極；以及

于所述的基板上形成一圖案化透光導(dǎo)電層，其至少包括所述的光感應(yīng)器的一上電極，設(shè)于所述的光感應(yīng)區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的圖案化富硅介電層的材料包括硅、氧、氮、碳或氫的組合。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的圖案化富硅介電層的分子式為SiOC、SiC、SiOx、SiNx、SiONy、SiOH或上述材料的組合。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述的圖案化富硅介電層的方法包括先于所述的基板上形成一富硅介電層，再進(jìn)行一光刻暨刻蝕制造工藝以圖案化所述的富硅介電層，且形成所述的富硅介電層的方法包括進(jìn)行一化學(xué)氣相沉積制造工藝。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在進(jìn)行所述的化學(xué)氣相沉積制造工藝時(shí)，是通入含有硅、氧、氮、碳、氫或上述原子組合的氣體。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的圖案化富硅介電層覆蓋于所述的源極與所述的漏極的部分表面。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法另包括在形成所述的圖案化富硅介電層的后，于所述的基板上形成一圖案化保護(hù)層，覆蓋所述的薄膜晶體管并暴露部分所述的漏極與所述的圖案化富硅介電層。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述的圖案化保護(hù)層包括有機(jī)光刻膠材料。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述的圖案化保護(hù)層的形成方法包括：

在形成所述的圖案化富硅介電層之后，于所述的基板上全面沉積一有機(jī)光刻膠層；

進(jìn)行一曝光制造工藝，于所述的有機(jī)光刻膠層上定義出一接觸洞圖案與一開口圖案，分別設(shè)于所述的薄膜晶體管區(qū)域與所述的光感應(yīng)區(qū)域；以及

進(jìn)行一顯影制造工藝，移除包括所述的接觸洞圖案與所述的開口圖案的部分所述的有機(jī)光刻膠層，以形成所述的圖案化保護(hù)層。

10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述的圖案化第二導(dǎo)電層、所述的圖案化富硅介電層與所述的圖案化保護(hù)層的步驟包括：

依序于所述的基板上全面形成一第二導(dǎo)電層與一富硅介電層；

同時(shí)移除部分所述的第二導(dǎo)電層與部分所述的富硅介電層，以形成所述的圖案化第二導(dǎo)電層，并使所述的富硅介電層與所述的圖案化第二導(dǎo)電層在所述的光感應(yīng)區(qū)域具有相同的圖案；

于所述的基板上全面形成一介電層；以及

使用一半色調(diào)掩模，進(jìn)行一光刻暨刻蝕制造工藝，同時(shí)移除部分所述的介電層與部分所述的富硅介電層，以形成所述的圖案化富硅介電層，并使得所述的介電層形成所述的圖案化保護(hù)層并暴露部分所述的漏極與所述的圖案化富硅介電層。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述的半色調(diào)掩模的部分半透光區(qū)是對應(yīng)于所述的富硅介電層或所述的光感應(yīng)區(qū)域。