[發明專利]單晶的制造方法有效
| 申請號： | 200810108276.6 | 申請日： | 2008-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN101319350A | 公開（公告）日： | 2008-12-10 |
| 發明（設計）人： | 大久保正道 | 申請（專利權）人： | 硅電子股份公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人： | 程大軍 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在切克勞斯基方法中將水平磁場施加到容納在坩堝中的原料熔體上、由原料熔體制造單晶的方法，其中：
將所述水平磁場的磁場中心設定在低于所容納原料熔體的液面多于50mm、并且等于或小于90mm的位置；并且，
抽拉單晶，同時通過控制所述坩堝的垂直位置而保持所述液面的位置不變，以及保持所述磁場中心的位置不變，并且，該磁場中心位置的與所述液面的不變距離H等于或小于在完成所述單晶的不變直徑部分抽拉時殘留在坩堝中的原料熔體液面深度L。
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