[發明專利]將金剛石層施涂在石墨基體上的方法

無效

• 申請號: 200810107458.1
• 申請日: 2008-12-22
• 公開（公告）號: CN101580931A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發明（設計）人: M·弗里達;T·馬特;S·馬爾卡希
• 申請（專利權）人: 康迪亞斯有限責任公司
• 主分類號: C23C16/27
• 分類號: C23C16/27;C23C16/44;C04B41/50
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 過曉東

1、根據CVD法將金剛石層施涂在石墨基體上的方法，其中在CVD法之前對該石墨基體實施下列預處理步驟：

-在高于500℃，優選高于800℃的溫度下于真空中在蝕刻氣體氣氛中精細凈化表面，

-機械去除松散的顆粒，

-用極細的金剛石顆粒給基體表面施加晶種，及

-在T＞500℃，優選T＞700℃的溫度下于真空中進行至少一次脫氣處理以去除吸附的烴類和吸附的空氣。

2、根據權利要求1所述的方法，其中在氫氣氛中實施所述精細凈化過程。

3、根據權利要求2所述的方法，其中調節氫氣氛的氣壓小于10mbar。

4、根據權利要求1至3之一所述的方法，其中用金剛石顆粒懸浮液給所述基體表面施加晶種。

5、根據權利要求4所述的方法，其中隨后通過加熱所述石墨基體去除懸浮劑。

6、根據權利要求1至5之一所述的方法，其中在CVD法之前立即進行所述脫氣處理。

7、根據權利要求1至6之一所述的方法，其中以氫氣中0.5至3.0％，優選2％甲烷的氣體組成實施CVD法。

8、根據權利要求1至7之一所述的方法，其中預先設置一個粗略凈化步驟。

9、根據權利要求1所述的方法，其中使用有機溶劑實施所述粗略凈化步驟。

10、根據權利要求9所述的方法，其中隨后在大于150℃的提高的溫度下實施脫附步驟以去除溶劑。