[發(fā)明專利]一種AlN緩沖層的生長(zhǎng)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810106413.2
• 申請(qǐng)日: 2008-05-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101580930A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 桑立雯;楊志堅(jiān);秦志新;方浩;于彤軍;張國(guó)義
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C16/18
• 分類號(hào): C23C16/18;C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 北京君尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙）
• 代理人: 李稚婷

1.一種AlN緩沖層的生長(zhǎng)方法，采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積方法，以氫氣作為載氣，TMAl和NH₃分別作為Al源和N源，控制溫度為1050℃-1200℃，壓力為100-200torr，V/III為400-800，采用交替通入TMAl和NH₃的脈沖方式在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)50-150個(gè)周期的AlN緩沖層，具體每個(gè)周期依次通入3-10s?TMAl，3-10s載氣，3-10s?NH₃和3-10s載氣。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括下列步驟：

1)將反應(yīng)室的溫度升高到1000℃-1100℃，在氫氣氣氛中烘烤藍(lán)寶石襯底5-20分鐘；

2)升溫至1050℃-1200℃，控制壓力為100-200torr，V/III為400-800，采用TMAl和NH₃交替通入反應(yīng)室的脈沖方式生長(zhǎng)50-150個(gè)周期的高溫高壓脈沖AlN緩沖層，每個(gè)周期依次通入3-10s?TMAl，3-10s載氣，3-10s?NH₃和3-10s載氣。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟1)的溫度為1050℃-1100℃。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步驟1)和步驟2)之間增加下列步驟：1-2.在1050℃-1200℃的溫度下，控制壓力在100-200torr，預(yù)通入5-30s?TMAl進(jìn)反應(yīng)室，生長(zhǎng)一鋁化層。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟1-2的溫度為1100℃-1200℃，TMAl通入時(shí)間為10-20s。

6.如權(quán)利要求2～5中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述步驟2)的溫度為1100℃-1200℃。

7.如權(quán)利要求2～5中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述步驟2)的壓力為150-200torr。

8.如權(quán)利要求2～5中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述步驟2)的V/III為400-600。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述步驟2)的V/III比通過(guò)改變氨氣流量或TMAl流量實(shí)現(xiàn)。