[發明專利]柵極、半導體器件及柵極、摻雜區、含氮側墻基層形成方法

有效

• 申請號: 200810105923.8
• 申請日: 2008-05-05
• 公開（公告）號: CN101577223A
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發明（設計）人: 何有豐;唐兆云;白杰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L21/266;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 李 麗

1.一種柵極形成方法，其特征在于，包括：

在基底上形成多晶硅層；

圖形化所述多晶硅層；

執行氮化操作，在具有圖形化的多晶硅層的基底表面形成氮化硅層；

在形成摻雜區時基底表面保留氮化硅層，可在經歷摻雜操作后的清洗過程中減少基底的損失，繼而減少摻雜損失。

2.根據權利要求1所述的柵極形成方法，其特征在于：所述氮化操作采用爐式快速熱氮化工藝。

3.根據權利要求1所述的柵極形成方法，其特征在于：執行所述氮化操作時的反應氣體包括一氧化氮、一氧化二氮或氨氣中的一種。

4.一種柵極形成方法，其特征在于，包括：

在基底上形成多晶硅層；

圖形化所述多晶硅層；

執行氧化操作，在具有圖形化的多晶硅層的基底表面形成氧化硅層；

執行氮化操作，在所述氧化硅層表面形成氮化硅層；

在形成摻雜區時基底表面保留氮化硅層，可在經歷摻雜操作后的清洗過程中減少基底的損失，繼而減少摻雜損失。

5.根據權利要求4所述的柵極形成方法，其特征在于：所述氧化操作采用熱氧化工藝或現場水汽生成工藝。

6.根據權利要求4所述的柵極形成方法，其特征在于：所述氧化操作采用現場水汽生成工藝執行時，涉及的反應氣體包含H₂和O₂，所述O₂的流量大于所述H₂的流量。

7.根據權利要求4所述的柵極形成方法，其特征在于：所述氮化操作采用去耦合等離子體氮化工藝，形成的氮化硅層內具有梯度氮分布，氮的濃度由所述基底表面向其內部逐漸減小。

8.根據權利要求4所述的柵極形成方法，其特征在于：執行所述氮化操作時的反應氣體包括氮氣。

9.一種摻雜區形成方法，其特征在于，包括：

在基底上形成圖形化的多晶硅層；

執行氮化操作，在具有圖形化的多晶硅層的基底表面形成氮化硅層；

在經歷所述氮化操作的基底上形成圖形化的抗蝕劑層；

以所述抗蝕劑層為掩模，對經歷所述氮化操作的基底執行離子注入操作；

去除所述抗蝕劑層，形成摻雜區；

所述氮化硅層可在經歷摻雜操作后的清洗過程中減少基底的損失，繼而減少摻雜損失。

10.根據權利要求9所述的摻雜區形成方法，其特征在于：在形成氮化硅層和形成圖形化的抗蝕劑層操作之間，還包括，形成側墻基層及/或側墻的操作。

11.根據權利要求9所述的摻雜區形成方法，其特征在于：所述氮化操作采用爐式快速熱氮化工藝。

12.根據權利要求9所述的摻雜區形成方法，其特征在于：執行所述氮化操作時的反應氣體包括一氧化氮、一氧化二氮或氨氣中的一種。

13.根據權利要求9所述的摻雜區形成方法，其特征在于：去除所述抗蝕劑層采用濕式刻蝕工藝。

14.一種摻雜區形成方法，其特征在于，包括：

在基底上形成圖形化的多晶硅層；

執行氧化操作，在具有圖形化的多晶硅層的基底表面形成氧化硅層；

執行氮化操作，在所述氧化硅層表面形成氮化硅層；

在經歷所述氮化操作的基底上形成圖形化的抗蝕劑層；

以所述抗蝕劑層為掩模，對經歷所述氮化操作的基底執行離子注入操作；

去除所述抗蝕劑層，形成摻雜區；

所述氮化硅層可在經歷摻雜操作后的清洗過程中減少基底的損失，繼而減少摻雜損失。

15.根據權利要求14所述的摻雜區形成方法，其特征在于：在形成氮化硅層和形成圖形化的抗蝕劑層操作之間，還包括，形成側墻基層及/或側墻的操作。

16.根據權利要求14所述的摻雜區形成方法，其特征在于：所述氧化操作采用熱氧化工藝或現場水汽生成工藝。

17.根據權利要求14所述的摻雜區形成方法，其特征在于：所述氧化操作采用現場水汽生成工藝時，涉及的反應氣體包含H₂和O₂，所述O₂的流量大于所述H₂的流量。