[發明專利]電阻存儲器的存儲單元及其制作方法有效
| 申請號： | 200810105904.5 | 申請日： | 2008-05-05 |
| 公開（公告）號： | CN101577307A | 公開（公告）日： | 2009-11-11 |
| 發明（設計）人： | 鮑震雷 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 吳靖靚;李 麗 |
| 地址： | 100176北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電阻 存儲器 存儲 單元 及其 制作方法 | ||
1.一種電阻存儲器的存儲單元的制作方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底以及位于半導體襯底上的介質層；
在所述介質層內形成底電極；
在所述底電極上形成第一存儲介質層；
在所述第一存儲介質層上沉積反應金屬層，所述反應金屬是氧化后具有 二元電阻特性的金屬；
使所述第一存儲介質層氧化所述反應金屬層，形成第二存儲介質層；
在所述第二存儲介質層上形成頂電極；
所述使所述第一存儲介質層氧化所述反應金屬層，形成第二存儲介質層 是在真空條件下，采用退火工藝使所述反應金屬層吸收所述第一存儲介質層 的氧，以氧化成第二存儲介質層。
2.根據權利要求1所述的電阻存儲器的存儲單元的制作方法，所述第一存 儲介質層包括絕緣金屬氧化層，使所述第一存儲介質層氧化所述反應金屬層 是使所述絕緣金屬氧化層氧化所述反應金屬層。
3.根據權利要求1所述的電阻存儲器的存儲單元的制作方法，其特征在于， 所述退火工藝的溫度是100至400℃，時間是5至30min。
4.根據權利要求1所述的電阻存儲器的存儲單元的制作方法，其特征在于， 在所述第一存儲介質層上沉積反應金屬層是采用物理濺射工藝在所述第一存 儲介質層上沉積反應金屬薄膜。
5.根據權利要求1所述的電阻存儲器的存儲單元的制作方法，其特征在于， 所述反應金屬是金屬鉭、鈦、鎳和鈷的其中一種或者幾種。
6.根據權利要求1所述的電阻存儲器的存儲單元的制作方法，其特征在于， 所述反應金屬層的金屬氧化反應熱低于所述第一存儲介質層的金屬氧化反應 熱。
7.根據權利要求6所述的電阻存儲器的存儲單元的制作方法，其特征在于， 所述反應金屬層的金屬氧化反應熱小于-50k·calories/mole。
8.根據權利要求1所述的電阻存儲器的存儲單元的制作方法，其特征在于， 所述反應金屬層的厚度是2至20nm。
9.根據權利要求1所述的電阻存儲器的存儲單元的制作方法，其特征在于， 所述形成第一存儲介質層是氧化所述底電極的金屬形成第一存儲介質層，或 者是沉積和氧化金屬形成第一存儲介質層，或者是沉積具有二元電阻特性的 金屬氧化物形成第一存儲介質層。
10.根據權利要求9所述的電阻存儲器的存儲單元的制作方法，其特征在于， 所述形成第一存儲介質層的金屬是金屬銅、鎢、鎳、鈷、鉬、鉭和鈦的其中 一種或者幾種。
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