[發明專利]一種用于半導體制造工藝中的硅片定位方法及定位機構無效
| 申請號： | 200810102331.0 | 申請日： | 2008-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN101540293A | 公開（公告）日： | 2009-09-23 |
| 發明（設計）人： | 朱常青 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/68 | 分類號： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京邦信陽專利商標代理有限公司 | 代理人： | 王昭林;崔 華 |
| 地址： | 100016北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 半導體 制造 工藝 中的 硅片 定位 方法 機構 | ||
1、一種用于半導體制造工藝中的硅片定位方法，包括在硅片制造工藝的大氣傳輸系統和/或傳輸腔和/或負載鎖閉室中，通過控制系統控制校準機構對硅片進行旋轉校正的步驟，其特征在于：所述定位方法還包括如下步驟：
a、在所述大氣傳輸系統和/或傳輸腔和/或負載鎖閉室中設置至少一組定位傳感器，并通過所述定位傳感器對硅片上的V型槽進行定位；
b、當硅片數量多于一片時，在所述大氣傳輸系統和/或傳輸腔和/或負載鎖閉室中還設置至少一組預測檢測硅片存在與否的預測傳感器；
c、所述預測傳感器將檢測硅片存在與否的信號發送至所述控制系統，控制系統向定位傳感器發出指令對硅片上的V型槽進行定位；
d、定位傳感器檢測V型槽的信號并反饋至控制系統，并通過控制系統控制校準機構對硅片進行重新旋轉校正。
2、根據權利要求1所述的硅片定位方法，其特征在于：所述預測傳感器和/或定位傳感器相對于硅片的平面垂直設置。
3、根據權利要求1所述的硅片定位方法，其特征在于：所述定位傳感器的解析度為1μm。
4、根據權利要求2所述的硅片定位方法，其特征在于：所述定位傳感器還可設置在半導體制造工藝中的校準機構上。
5、根據權利要求1所述的硅片定位方法，其特征在于：所述控制系統為集群設備控制系統。
6、一種用于半導體制造工藝中的硅片定位機構，其特征在于：包括設置在硅片制造工藝的大氣傳輸系統和/或傳輸腔和/或負載鎖閉室和/或校準機構上的定位傳感器以及與該定位傳感器相連的控制系統，所述控制系統還與硅片校準機構相連。
7、根據權利要求6所述的硅片定位機構，其特征在于：所述硅片定位機構還包括設置在硅片制造工藝的大氣傳輸系統、或傳輸腔、或負載鎖閉室、或校準機構上的檢測硅片存在與否的預測傳感器。
8、根據權利要求7所述的硅片定位機構，其特征在于：所述預測傳感器和/或定位傳感器相對于硅片平面垂直設置。
9、根據權利要求7或8所述的硅片定位機構，其特征在于：所述定位傳感器的解析度為1μm。
10、根據權利要求6所述的硅片定位機構，其特征在于：所述控制系統為集群設備控制系統。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司，未經北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810102331.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種粒狀磷酸一銨的生產工藝
- 下一篇：太陽能風力發電塔
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
