[發明專利]MOS力敏傳感器

無效

• 申請號: 200810101600.1
• 申請日: 2008-03-10
• 公開（公告）號: CN101241030A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 張兆華;張艷紅;劉理天;任天令;林惠旺
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G01L1/18
• 分類號: G01L1/18;G01L1/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.MOS力敏傳感器，其特征在于，含有結構芯片和密封蓋板，其中，結構芯片位于所述傳感器的上層，中間是一個由空腔構成的倒置的硅杯，所述硅杯的縱截面呈倒梯形，四周是原厚度的體硅，中間是薄的硅膜，該硅膜呈四邊形，該四邊形的四條邊是硅杯的應力敏感集中區，在相對著的兩條邊的兩個中點分別制作MOS晶體管和壓敏電阻構成一個差分對管，構成壓敏元件，該差分對管采用在兩個MOS晶體管的源端和兩個壓敏電阻的非接地端之間加恒壓源的供電方式，在有壓力作用于所述結構芯片中間的硅膜時，會引起MOS晶體管溝道遷移率和壓敏電阻遷移率的變化，使得差分對管輸出的電壓差與壓力成線性關系；密封蓋板位于所述傳感器的下層，與所述結構芯片用鍵合方式密封連接。

2.根據權利要求1所述的MOS力敏傳感器，其特征在于：所述壓敏元件跨于硅膜和體硅交界區域或在交界區的硅膜一側。

3.根據權利要求1所述的MOS力敏傳感器，其特征在于：所述硅膜是方形、或圓形、或矩形、或多邊形。

4.根據權利要求1所述的MOS力敏傳感器，其特征在于：所述壓敏電阻由硅單晶、或多晶硅、或非晶硅、或壓敏金屬材料構成，所述MOS晶體管的柵極由鋁或多晶硅材料構成。