[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810099635.6
• 申請(qǐng)日: 2008-06-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101325209A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秋元健吾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L27/32;H01L21/84
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 李玲

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

襯底上的鍵合層；

所述鍵合層上的絕緣膜和第一像素電極，該第一像素電極嵌入在所述絕緣膜中；

所述絕緣膜上的島狀單晶半導(dǎo)體層；

所述島狀單晶半導(dǎo)體層中的溝道形成區(qū)域和高濃度雜質(zhì)區(qū)域；

所述島狀單晶半導(dǎo)體層上的柵極絕緣膜和柵電極；

覆蓋所述島狀單晶半導(dǎo)體層、所述柵極絕緣膜、及所述柵電極的層間絕緣膜；

所述層間絕緣膜上的布線，該布線使所述高濃度雜質(zhì)區(qū)域和所述第一像素電極電連接；

覆蓋所述層間絕緣膜、所述島狀單晶半導(dǎo)體層、所述柵極絕緣膜、及所述柵電極且開(kāi)口形成在所述第一像素電極上的區(qū)域的分隔壁；

形成在所述第一像素電極上的由所述分隔壁圍繞的區(qū)域的發(fā)光層；以及

所述發(fā)光層及所述分隔壁上的電連接到所述發(fā)光層的第二像素電極，

其中，所述第一像素電極的與所述發(fā)光層接觸的面平坦，

并且，所述絕緣膜和所述島狀單晶半導(dǎo)體層接觸的面與所述第一像素電極和所述發(fā)光層接觸的面相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述島狀單晶半導(dǎo)體層是島狀單晶硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述鍵合層使用氧化硅形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述第一像素電極使用透光性導(dǎo)電膜形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述第一像素電極使用反射性導(dǎo)電膜形成。

6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中：

在半導(dǎo)體襯底上形成第一像素電極；

在所述第一像素電極及所述半導(dǎo)體襯底上形成絕緣膜；

將包含氫的離子注入到所述絕緣膜來(lái)在所述半導(dǎo)體襯底中形成具有多孔結(jié)構(gòu)的分離層；

在所述絕緣膜上形成鍵合層；

在中間夾著所述鍵合層地重疊所述半導(dǎo)體襯底和具有絕緣表面的襯底的狀態(tài)下，進(jìn)行在所述分離層中產(chǎn)生裂縫，以在所述分離層分離所述半導(dǎo)體襯底的熱處理，同時(shí)在所述具有所述絕緣表面的襯底上殘留單晶半導(dǎo)體層；

對(duì)所述單晶半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻來(lái)將所述單晶半導(dǎo)體層形成為島狀單晶半導(dǎo)體層，并且形成所述第一像素電極的保護(hù)層；

在所述島狀單晶半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣膜及柵電極；

將所述柵電極作為掩模，將賦予一種導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素添加到所述島狀單晶半導(dǎo)體層中，而在所述柵電極的下面的區(qū)域中形成溝道形成區(qū)域，并且在沒(méi)有形成所述柵電極的區(qū)域中形成用作源區(qū)域及漏區(qū)域的高濃度雜質(zhì)區(qū)域；

對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行蝕刻來(lái)使所述第一像素露出；

覆蓋所述島狀單晶半導(dǎo)體層、所述柵極絕緣膜、所述柵電極地形成層間絕緣膜；

在所述層間絕緣膜上形成使所述高濃度雜質(zhì)區(qū)域之一和所述第一像素電極電連接的布線；

形成覆蓋所述層間絕緣膜、所述島狀單晶半導(dǎo)體層、所述柵極絕緣膜、所述柵電極且開(kāi)口形成在所述第一像素電極上的區(qū)域的分隔壁；

在所述第一像素電極上的由所述分隔壁圍繞的區(qū)域形成發(fā)光層；

在所述發(fā)光層及所述分隔壁上形成電連接到所述發(fā)光層的第二像素電極；

其中，所述第一像素電極的與所述發(fā)光層接觸的面平坦；

并且，所述島狀單晶半導(dǎo)體層和所述絕緣膜接觸的面與所述第一像素電極和所述發(fā)光層接觸的面相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

其中，所述單晶半導(dǎo)體層是單晶硅層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

其中，所述鍵合層使用氧化硅形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

其中，所述第一像素電極使用透光性導(dǎo)電膜形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

其中，所述第一像素使用反射性導(dǎo)電膜形成。