[發(fā)明專利]接點結(jié)構(gòu)與接合結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810099538.7
• 申請日: 2008-05-13
• 公開（公告）號: CN101582399A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張世明
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣薄膜電晶體液晶顯示器產(chǎn)業(yè)協(xié)會;中華映管股份有限公司;友達光電股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美電子股份有限公司;財團法人工業(yè)技術(shù)研究院;統(tǒng)寶光電股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/488
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種接點結(jié)構(gòu)，設(shè)置在基板上，包括：

至少一接墊，位于該基板上；

至少一高分子凸塊，配置于該基板上，其中該高分子凸塊具有弧狀表面，且在該弧狀表面上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)，該弧狀表面與該基板的一第一接觸角θ1大于零度并小于等于80度；以及

至少一導電層，覆蓋該高分子凸塊，且與該接墊電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的接點結(jié)構(gòu)，其中該導電層全面覆蓋或部分覆蓋該高分子凸塊。

3.如權(quán)利要求1所述的接點結(jié)構(gòu)，還包括保護層，其配置于該基板上并暴露出該接墊。

4.如權(quán)利要求1所述的接點結(jié)構(gòu)，其中該高分子凸塊配置于該接墊上或同時跨越在該接墊上與該基板上。

5.如權(quán)利要求1所述的接點結(jié)構(gòu)，其中該導電層有一個或多于一個，覆蓋在同一高分子凸塊上，并分別與對應(yīng)的接墊電性連接。

6.如權(quán)利要求1所述的接點結(jié)構(gòu)，其中該導電層有一個或多于一個，覆蓋在同一高分子凸塊上，并與同一接墊電性連接。

7.如權(quán)利要求1所述的接點結(jié)構(gòu)，其中位于該高分子凸塊上的該導電層會與一個或多于一個的接墊電性連接。

8.如權(quán)利要求1所述的接點結(jié)構(gòu)，其中位于一個或多于一個的高分子凸塊上的該導電層均與同一接墊電性連接。

9.如權(quán)利要求1所述的接點結(jié)構(gòu)，還包括高分子保護層，位于該基板上且至少暴露出該高分子凸塊以及該接墊。

10.一種接點結(jié)構(gòu)，設(shè)置在基板上，包括：

至少一接墊，位于該基板上；

至少一高分子凸塊，配置于該基板上，其中該高分子凸塊具有頂部平面以及位于該頂部平面兩側(cè)的弧狀凹凸表面，該弧狀凹凸表面與該基板的一第一接觸角θ1大于零度并小于等于80度；以及

至少一導電層，覆蓋該高分子凸塊，且與該接墊電性連接。

11.如權(quán)利要求10所述的接點結(jié)構(gòu)，其中該頂部平面具有多個凹凸結(jié)構(gòu)或為平滑結(jié)構(gòu)。

12.如權(quán)利要求10所述的接點結(jié)構(gòu)，其中該導電層全面覆蓋或部分覆蓋該高分子凸塊。

13.如權(quán)利要求10所述的接點結(jié)構(gòu)，還包括保護層，其配置于該基板上并暴露出該接墊。

14.如權(quán)利要求10所述的接點結(jié)構(gòu)，其中該高分子凸塊配置于該接墊上或同時跨越在該接墊上與該基板上。

15.如權(quán)利要求10所述的接點結(jié)構(gòu)，其中該導電層有一個或多于一個，覆蓋在同一高分子凸塊上，并分別與對應(yīng)的接墊電性連接。

16.如權(quán)利要求10所述的接點結(jié)構(gòu)，其中該導電層有一個或多于一個，覆蓋在同一高分子凸塊上，并與同一接墊電性連接。

17.如權(quán)利要求10所述的接點結(jié)構(gòu)，其中位于該高分子凸塊上的該導電層會與一個或多于一個的接墊電性連接。

18.如權(quán)利要求10所述的接點結(jié)構(gòu)，其中位于一個或多于一個的高分子凸塊上的該導電層均與同一接墊電性連接。

19.如權(quán)利要求10所述的接點結(jié)構(gòu)，還包括高分子保護層，位于該基板上且至少暴露出該高分子凸塊以及該接墊。

20.一種接合結(jié)構(gòu)，包括：

第一基板，包括：

至少一接墊；

至少一高分子凸塊，與該接墊對應(yīng)設(shè)置，該高分子凸塊具有弧狀表面，且在該弧狀表面上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)；

至少一導電層，覆蓋該高分子凸塊，且與該接墊電性連接；以及

基層，該接墊、該高分子凸塊以及該導電層配置于該基層上，其中該弧狀表面與該基層的一第一接觸角θ1大于零度并小于等于80度；

第二基板，該第二基板上包括設(shè)置有至少一導電結(jié)構(gòu)，其中該第一基板上的該導電層與該導電結(jié)構(gòu)電性連接；以及

接合材料，位于該第一基板與該第二基板之間，且部分的該導電層與該高分子凸塊貫穿該接合材料而與該導電結(jié)構(gòu)接觸。

21.如權(quán)利要求20所述的接合結(jié)構(gòu)，其中該接合材料包括非導電黏著膏、非導電黏著膜、各向異性導電膏或各向異性導電膜。

22.如權(quán)利要求20所述的接合結(jié)構(gòu)，其中該接合材料包括熱固化接合材料、熱塑化接合材料或是上述的組合。