[發明專利]存儲器的操作方法

有效

• 申請號: 200810099524.5
• 申請日: 2008-05-13
• 公開（公告）號: CN101510441A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發明（設計）人: 郭明昌;李明修
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/14
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

技術領域

本發明是有關于一種可電擦除且可編程只讀存儲器的操作方法， 且特別是有關于一種虛擬接地(virtual-ground)的或非門(NOR)型 存儲器的操作方法。

背景技術

電可擦寫可編程只讀存儲器(EEPROM)是一種可進行多次數據 的存入、讀取或擦除等動作且存入的數據在斷電后也不會消失的非易 失性存儲器。電可擦寫可編程只讀存儲器中最典型的是閃存。而電荷 陷入層型存儲器則是一種以氮化硅取代典型的閃存的摻雜多晶硅浮置 柵極(floating?gate)的電可擦寫可編程只讀存儲器。電荷陷入層型存 儲器的電荷陷入層的材質通常是氮化硅，且此種氮化硅電荷陷入層上 下通常各有一層氧化硅，控制柵極以及襯底的材質通常是多晶硅或 硅，因此，此種元件通稱為硅/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅(SONOS) 元件。由于氮化硅具有捕捉電子的特性，注入電荷陷入層之中的電子 會集中于電荷陷入層的局部區域上，通常，氮化硅層中接近漏極的區 域以及接近源極的區域可分別儲存一位(bit)，因此，此種存儲單元 是一種每一存儲單元有二個位的存儲元件。

典型的SONOS存儲器在操作時，是先選定單一個存儲單元，對 所選定的單一存儲單元的控制柵極所對應的字線施加偏壓并在其漏極 所對應的位線施加偏壓，而其它的字線則施以0伏特的電壓；其它的 位線則施以0伏特的電壓或浮置，以使得電子或空穴注入于氮化硅層 中接近漏極之處，改變其啟始電壓。然而，此種以逐單元寫入的方式 來進行編程方法相當耗時，而且啟始電壓的分布較廣，在讀取時容易 有誤判的情形。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的在于在提供一種存儲器的操作方 法，其可以縮短編程的時間。

本發明的主要目的還在于提供一種存儲器的操作方法，可使各數 據狀態的啟始電壓的分布較窄。

本發明提出一種存儲器的操作方法，此存儲器包括多個存儲單元 所構成的存儲單元陣列，各存儲單元包括一第一位與一第二位。此操 作方法包括選擇一存儲單元行，并同時編程所選的存儲單元行所對應 的多個存儲單元，使存儲單元的第一位達到預定的編程狀態。

依照本發明實施例所述，上述的存儲器的操作方法中，在進行編 程存儲單元行所對應的存儲單元時，同時在所選的存儲單元行所對應 的存儲單元的多條字線施加多個預定偏壓。

依照本發明實施例所述，上述的存儲器的操作方法中，預定的編 程狀態是多個具有不同啟始電壓分布的編程狀態。

依照本發明實施例所述，上述的存儲器的操作方法中，在進行編 程所選的存儲單元行所對應的存儲單元時，與所選的存儲單元行的上 述存儲單元相鄰且共享相同位線的存儲單元的第二位同時達到多個無 用狀態，各上述無用狀態與相鄰的所選的存儲單元行的上述存儲單元 的第一位的預定的編程狀態相同。

依照本發明實施例所述，上述的存儲器的操作方法中，第一位為 有用位；第二位為無用位。

依照本發明實施例所述，上述的存儲器的操作方法進一步包括在 讀取時，僅讀取所選的上述存儲單元的第一位的編程狀態，不讀取所 選的上述存儲單元的無用位的無用狀態。

依照本發明實施例所述，上述的存儲器的操作方法中，在進行上 述編程時，是藉由誘發單側偏壓收斂效應，以使電荷注入于所選定的 上述存儲單元行的存儲單元中。

依照本發明實施例所述，上述的存儲器的操作方法進一步包括在 進行擦除時，藉由誘發雙側偏壓電荷注入效應或Fowler-Nordheim電 荷隧穿效應或價帶-導帶隧穿熱電荷注入效應，以使電荷注入于該存儲 單元陣列的各該多個存儲單元中。

依照本發明實施例所述，上述的存儲器的操作方法中，在進行上 述編程時，是藉由誘發單側偏壓收斂效應，以使電子注入于所選定的 上述存儲單元行的存儲單元中。

依照本發明實施例所述，上述的存儲器的操作方法進一步包括在 進行擦除時，藉由誘發雙側偏壓空穴注入效應、價帶-導帶隧穿熱空穴 注入效應，以使電子注入于上述存儲單元陣列的各上述存儲單元中。

依照本發明實施例所述，上述的存儲器的操作方法中，上述存儲 單元為多階存儲單元。

依照本發明實施例所述，上述的存儲器的操作方法中，上述存儲 單元陣列為一虛擬接地(virtual-ground)的或非門型存儲單元陣列。

依照本發明實施例所述，上述的存儲器的操作方法中，存儲單元 是以逐列方式進行編程。