[發明專利]表面發射激光裝置有效
| 申請號： | 200810099247.8 | 申請日： | 2008-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN101308996A | 公開（公告）日： | 2008-11-19 |
| 發明（設計）人： | 堀雄一郎 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/18 | 分類號： | H01S5/18;H01S5/183 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面 發射 激光 裝置 | ||
1.一種表面發射激光裝置，包括：
活性層；
具有二維周期性折射率結構且與所述活性層相鄰地設置的光子 晶體層；
設置在所述光子晶體層上的電極；以及
發射光的光發射區，其中
所述光子晶體層包括：
設置在所述電極之下且具有用于光在平面內共振的周期性折 射率結構的第一光子晶體區，以及
設置在所述光發射區之下且具有用于在與所述平面垂直的方 向上發射光的周期性折射率結構的第二光子晶體區，
其中，所述第二光子晶體區包括具有在Γ點處的光子能帶模式 的光子晶體，并且，所述第一光子晶體區包括具有在低于光線的不同 于Γ點的光子能帶邊緣處的光子能帶模式的光子晶體。
2.根據權利要求1所述的表面發射激光裝置，其中：
所述第一光子晶體區和所述第二光子晶體區形成在同一光子晶 體層中。
3.根據權利要求1所述的表面發射激光裝置，其中：
所述第一光子晶體區和所述第二光子晶體區分別形成在不同的 光子晶體層中，以便在垂直于所述平面的方向上被分開。
4.根據權利要求1所述的表面發射激光裝置，其中：
提供一個以上的所述光發射區。
5.根據權利要求1所述的表面發射激光裝置，其中：
所述光子晶體具有其中柱形孔以正方形點陣的形式布置在介質 中的結構，
所述第一光子晶體區的點陣常數是所述第二光子晶體區的點陣 常數的(1/2)1/2倍大，并且
所述第一光子晶體區的晶體取向與所述第二光子晶體區的晶體 取向成45°的角度。
6.根據權利要求1所述的表面發射激光裝置，其中：
所述光子晶體具有其中柱形孔以三角形點陣的形式布置在介質 中的結構，
所述第一光子晶體區的點陣常數是所述第二光子晶體區的點陣 常數的(1/3)1/2倍大，并且
所述第一光子晶體區的晶體取向與所述第二光子晶體區的晶體 取向成30°的角度。
7.根據權利要求1所述的表面發射激光裝置，其中：
所述光子晶體具有其中柱形孔以正方形點陣的形式布置在介質 中的結構，
所述第一光子晶體區的點陣常數是所述第二光子晶體區的點陣 常數的1/2倍大，并且
所述第一光子晶體區的晶體取向與所述第二光子晶體區的晶體 取向相同。
8.根據權利要求1所述的表面發射激光裝置，其中：
反射控制結構形成在所述第一光子晶體區和所述第二光子晶體 區之間。
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