[發(fā)明專利]一種制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件結(jié)構(gòu)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810099049.1 | 申請日： | 2002-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN101284643A | 公開（公告）日： | 2008-10-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | M·W·邁爾斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 銥顯示器公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 趙蓉民 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制造 微機(jī) 系統(tǒng) mems 器件 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種制造微機(jī)電系統(tǒng)MEMS器件的方法，所述方法包括：
在基底上沉積至少一個(gè)層，所述層包括犧牲材料；
將所述犧牲層形成圖案；
在所述犧牲層上沉積附加層；以及
利用所述犧牲層作為光掩膜將所述附加層形成圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括去除所述犧牲層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述基底上形成導(dǎo)電層，其中所述犧牲層形成于所述導(dǎo)電層之上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述導(dǎo)電層是至少局部透光的。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述導(dǎo)電層是充分透明的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述犧牲層上形成上層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述上層是導(dǎo)電的。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述上層至少局部反射入射光。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括去除所述犧牲層以形成MEMS腔，所述上層通過所述MEMS腔是可移動(dòng)的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述上層是在將所述附加層形成圖案之后形成的，所述上層由形成圖案的附加層的多個(gè)部分支撐。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述附加層包括負(fù)效光刻膠。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基底是至少局部透光的。
13.一種形成微機(jī)電系統(tǒng)MEMS器件的方法，所述方法包括：
提供透光的基底；
在所述基底上提供犧牲層；
將所述犧牲層形成圖案以去除至少部分的所述犧牲層；
在所述犧牲層上提供附加層；以及
通過將所述附加層暴露在穿過所述犧牲層的被去除部分的光中，將所述附加層形成圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括去除所述犧牲層的剩余部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括提供下層，其中所述下層位于所述基底和所述犧牲層之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中至少部分所述下層是至少局部反光的。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中至少部分所述下層是導(dǎo)電的。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述下層的導(dǎo)電部分對可見光是充分透明的。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括在所述犧牲層上提供上層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中至少部分所述上層對可見光是局部反射的。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中至少部分所述上層是導(dǎo)電的。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括去除所述犧牲層的剩余部分以形成腔，在所述腔內(nèi)所述上層是可移動(dòng)的。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述上層被提供在形成圖案的附加層上并由形成圖案的附加層支撐。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述上層包括鋁和鎳。
25.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述犧牲層可以由二氟化氙XeF2刻蝕。
26.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述犧牲層是不透光的。
27.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中將所述附加層形成圖案進(jìn)一步包括利用所述犧牲層的剩余部分阻擋所述光。
28.一種制造微機(jī)電系統(tǒng)MEMS陣列的方法，所述方法包括：
在基底上形成透明電極，所述基底允許光從其中通過；
在所述透明電極上形成犧牲層；
在所述犧牲層上沉積附加層；以及
通過將所述附加層暴露在穿過所述基底的光中，將所述附加層形成圖案。
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