[發(fā)明專利]具有磁電效應(yīng)的復(fù)合薄膜異質(zhì)結(jié)及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810098905.1 | 申請日: | 2008-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN101286545A | 公開(公告)日: | 2008-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙世峰;萬建國;劉俊明;韓民;王廣厚 | 申請(專利權(quán))人: | 南京大學(xué) |
| 主分類號: | H01L43/10 | 分類號: | H01L43/10;H01L43/12;H01L41/16;H01L41/18;H01L41/22 |
| 代理公司: | 南京知識律師事務(wù)所 | 代理人: | 栗仲平 |
| 地址: | 210093*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 磁電 效應(yīng) 復(fù)合 薄膜 異質(zhì)結(jié) 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于介電物理和磁學(xué)物理領(lǐng)域,涉及一種具有磁電效應(yīng)的復(fù)合薄膜異質(zhì)結(jié)及其制備方法。具體來說,涉及一種由稀土鐵合金磁致伸縮納米薄膜和聚偏二氟乙烯(PVDF)聚合物壓電薄膜復(fù)合而成的一種具有磁電耦合效應(yīng)的復(fù)合薄膜異質(zhì)結(jié)。
背景技術(shù)
磁電效應(yīng)是材料在外加磁場作用下發(fā)生介電極化或在外加電場作用下發(fā)生磁化的現(xiàn)象。在磁電材料研究領(lǐng)域,已知復(fù)合材料具有比單相化合物高得多的磁電效應(yīng),因此更具實(shí)用價(jià)值,在新一代高性能的電-磁功能器件中具有廣闊的應(yīng)用前景,可廣泛應(yīng)用于信息存儲、集成電路、磁場探測以及磁電能量轉(zhuǎn)換等諸多領(lǐng)域。
近年來,隨著電子集成技術(shù)和納米技術(shù)的飛速發(fā)展,需要開發(fā)納米層次下的磁電復(fù)合材料以滿足在微型驅(qū)動器、微傳感器等微機(jī)電系統(tǒng)和微信息存儲器等方面的應(yīng)用需求。納米層次下的磁電復(fù)合材料一般以復(fù)合薄膜的形式存在,即將具有壓電效應(yīng)和磁致伸縮效應(yīng)的材料按照一定的復(fù)合方式以薄膜的形式淀積在襯底上,形成磁電復(fù)合薄膜。
當(dāng)前,有關(guān)磁電復(fù)合薄膜的研究和開發(fā)正在日益成為磁電材料領(lǐng)域的熱點(diǎn)。當(dāng)前國內(nèi)外制備磁電復(fù)合薄膜一般是采用常規(guī)的物理方法或化學(xué)方法在硬質(zhì)的陶瓷或硅基襯底上沉積形成磁電復(fù)合薄膜。如文獻(xiàn)[1]報(bào)導(dǎo)了采用脈沖激光淀積方法在單晶Si(100)襯底上沉積獲得CoFe2O4/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3層合磁電復(fù)合薄膜;文獻(xiàn)[2]報(bào)導(dǎo)了采用脈沖激光淀積方法在單晶SrTiO3(001)襯底上制備出有序的CoFe2O4納米柱鑲嵌在BaTiO3基體中的磁電納米復(fù)合薄膜;文獻(xiàn)[3]報(bào)導(dǎo)了采用溶膠凝膠方法在外延生長鉑金的硅襯底(Pt/Ti/SiO2/Si)上交替旋涂獲得了Co0.9Zn0.1Fe2O4/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3多層磁電復(fù)合薄膜;專利ZL10041727.0公開了一種采用溶膠凝膠方法制備出的由鋯鈦酸鉛和鐵酸鈷復(fù)合形成的磁電復(fù)合薄膜。
根據(jù)已有的文獻(xiàn)和專利報(bào)導(dǎo),迄今為止,磁電復(fù)合薄膜的制備大多采用脈沖激光淀積方法或者溶膠凝膠方法,復(fù)合組分主要是具有尖晶石結(jié)構(gòu)的磁致伸縮材料[如CoFe2O4,NiFe2O4等]和具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的壓電材料[如Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,BaTiO3等]。雖然這些復(fù)合薄膜表現(xiàn)出磁電耦合效應(yīng),但是仍舊存在一些明顯不足,如:(1)由于硬質(zhì)陶瓷和硅基襯底對復(fù)合薄膜的應(yīng)力約束作用,極大限制了復(fù)合薄膜中兩相間的應(yīng)力傳遞過程,造成磁電效應(yīng)普遍較弱;(2)所采用的尖晶石結(jié)構(gòu)的鐵氧體材料的磁致伸縮性能普遍較弱,造成復(fù)合薄膜的磁電效應(yīng)不強(qiáng)。
本發(fā)明的背景技術(shù)涉及以下文獻(xiàn):
[1]J.P.Zhou,C.W.Nan,et.al.Magnetoelectric?CoFe2O4/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3double-layer?thin?film?prepared?by?pulsed-laser?deposition.Appl.Phys.Lett.2006,88:013111.
[2]H.Zhang,J.Wang,et.al.Multiferroic?BaTiO3-CoFe2O4?Nanostructure.Sinence?2004,303:661-663.
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京大學(xué),未經(jīng)南京大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810098905.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種手機(jī)啟動方法及裝置
- 下一篇:一種汽車車輪輪輻用鋼帶及其制造方法





