[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 200810098757.3
• 申請日: 2008-05-30
• 公開（公告）號: CN101378040A
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發明（設計）人: 佐佐木太志;石原三紀夫
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/28;H01L23/29
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 閆小龍;劉宗杰

技術領域

本發明涉及半導體裝置，特別涉及具有利用密封構件密封后的半導 體元件的半導體裝置。

背景技術

作為反相器用途的半導體裝置，有利用模型樹脂(mold?resin)及絕 緣片來密封IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor：絕緣柵雙極型晶體 管)或續流二極管(Free?Wheel?Diode)等多個半導體元件的功率模塊。 例如，在日本特開2006-319084號公報中公開了這樣的功率模塊。

作為抑制樹脂密封后的半導體裝置的安裝面積的技術，有例如在日 本特開平8-274219號公報中公開的技術。該半導體裝置包括IC芯片、 載放IC芯片的薄片(tab)、引線端子、連接引線端子與IC芯片的細金 屬線、以及樹脂模型。在樹脂模型中，形成有從樹脂模型的下表面到達 引線端子的孔部。然后，以貫通該孔部的方式插入導電性的棒狀端子。 半導體裝置的外部結構和密封在樹脂模型中的IC芯片之間的電連接是 通過棒狀端子、引線端子及細金屬線的串聯連接部來進行的。

在上述日本特開平08-274219號公報的技術中，以到達引線端子 的方式設置孔部。該引線端子設置在載放IC芯片(半導體元件)的薄 片的外周側。因而孔部也分布在設置有半導體元件或薄片的區域的外周 側。即，孔部的分布范圍會擴大。因此，存在通過孔部連接到半導體裝 置的襯底尺寸會增大的問題。另外，由于需要在外周側設置樹脂模型或 引線端子，所以，存在半導體裝置變大的問題。

發明內容

所以，本發明的目的在于提供能夠小型化的半導體裝置。

本發明的半導體裝置具備：被密封部，具有至少一個半導體元件； 密封構件，具有夾持被密封部的第一以及第二面，并且對被密封部進行 密封。密封構件在至少一個半導體元件上具有使被密封部的第一面側的 表面的一部分露出的至少一個開口部。

根據本發明的半導體裝置，密封構件在半導體元件上具有使被密封 部的第一面側的表面的一部分露出的開口部。由此，能夠經由密封構件 的半導體元件上的第一面，進行半導體裝置與外部結構之間的電連接。 因而，與不通過半導體元件上的第一面而進行繞行的電連接的情況相 比，能夠在較小空間內進行電連接，因此，半導體裝置或連接到半導體 裝置的外部結構被小型化。

對于本發明上述以及其它的目的、特征、形態及優點，以下借助附 圖理解的與本發明相關的詳細說明將給出清晰闡述。

附圖說明

圖1以及圖2是概略表示作為本發明實施方式1的半導體裝置的功 率模塊結構的平面圖。并且，在圖2中密封構件僅示出了外緣。

圖3是沿著圖1以及圖2的各自的III-III線的概略剖視圖。

圖4是概略示出作為本發明實施方式1的半導體裝置的功率模塊所 具有的電路結構的圖。

圖5～圖7是概略示出作為本發明實施方式1的第一至第三變形例 中的各自的半導體裝置的功率模塊所具有的電路結構的圖。

圖8是表示在作為本發明實施方式1的半導體裝置的功率模塊上附 加有控制襯底的狀態的概略側視圖。

圖9～圖13是依次表示作為本發明實施方式1的半導體裝置的功率 模塊的制造方法第一至第五步驟的概略立體圖。

圖14以及圖15是概略示出作為比較例的半導體裝置的功率模塊的 概略結構的平面圖。并且，在圖15中密封構件僅示出了外緣。

圖16是沿著圖14以及圖15的各自的XVI-XVI線的概略剖視圖。

圖17是表示在作為比較例的半導體裝置的功率模塊上附加有控制 襯底的狀態的概略側視圖。

圖18以及圖19是概略表示作為本發明實施方式2的半導體裝置的 功率模塊結構的平面圖。并且，在圖19中密封構件僅示出了外緣。

圖20以及圖21是概略表示作為本發明實施方式3的半導體裝置的 功率模塊結構的平面圖。并且，在圖21中密封構件僅示出了外緣。

圖22是沿著圖20以及圖21的各自的XXII-XXII線的概略剖視圖。

圖23是沿著圖20以及圖21的各自的XXIII-XXIII線的概略剖視 圖。

圖24是概略表示作為本發明實施方式4的半導體裝置的功率模塊 結構的平面圖。并且，在圖24中密封構件僅示出了外緣。

圖25是概略表示將兩個作為本發明實施方式4的半導體裝置的功 率模塊并聯連接后的結構的平面圖。