[發明專利]達成正面電性導通的無基板半導體封裝結構及其制作方法

無效

• 申請號: 200810098661.7
• 申請日: 2008-06-05
• 公開（公告）號: CN101599472A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 汪秉龍;蕭松益;張云豪;陳政吉
• 申請（專利權）人: 宏齊科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/31;H01L33/00;H01L27/144;H01L27/146;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L21/78
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司
• 代理人: 許 靜

1.一種達成正面電性導通的無基板半導體封裝結構，其特征在于，包括：

一封裝單元，其具有至少一中央容置槽；

至少一半導體芯片，其容置于該至少一中央容置槽內，并且該至少一半導體芯片的上表面具有多個導電焊墊；

一第一絕緣單元，其具有至少一形成于該些導電焊墊之間的第一絕緣層，以使得該些導電焊墊彼此絕緣；

一第一導電單元，其具有多個第一導電層，并且其中一第一導電層成形于該第一絕緣層上且位于該至少一半導體芯片的上方，其余的第一導電層的一端分別電性連接于該些導電焊墊；

一第二導電單元，其具有多個第二導電層，其中一第二導電層成形于上述位于該至少一半導體芯片上方的第一導電層上，其余的第二導電層分別成形于上述該些分別電性連接于該些導電焊墊的第一導電層上；以及

一第二絕緣單元，其成形于該些第一導電層彼此之間及該些第二導電層彼此之間，以使得該些第一導電層彼此之間及該些第二導電層彼此之間產生電性隔絕。

2.如權利要求1所述的達成正面電性導通的無基板半導體封裝結構，其特征在于，所述至少一半導體芯片為一發光二極管芯片，所述封裝單元為一熒光材料或一透明材料，并且該些導電焊墊分成一正極焊墊及一負極焊墊，此外該發光二極管芯片具有一設置于該些導電焊墊的相反端的發光表面。

3.如權利要求1所述的達成正面電性導通的無基板半導體封裝結構，其特征在于，所述至少一半導體芯片為一光感測芯片，所述封裝單元為一透光材料，并且該些導電焊墊至少分成一電極焊墊組及一訊號焊墊組。

4.如權利要求1所述的達成正面電性導通的無基板半導體封裝結構，其特征在于，所述至少一半導體芯片為一集成電路芯片，所述封裝單元為一不透光材料，并且該些導電焊墊至少分成一電極焊墊組及一訊號焊墊組。

5.如權利要求1所述的達成正面電性導通的無基板半導體封裝結構，其特征在于，上述該些分別電性連接于該些導電焊墊的第一導電層是成形于所述封裝單元及所述至少一半導體芯片的該些導電焊墊上。

6.如權利要求1所述的達成正面電性導通的無基板半導體封裝結構，其特征在于，所述第二絕緣單元的一部分覆蓋于該些第二導電層上。

7.一種達成正面電性導通的無基板半導體封裝結構的制作方法，其特征在于，包括下列步驟：

提供至少兩顆半導體芯片，其中每一顆半導體芯片具有多個導電焊墊；

將一覆著性高分子材料黏貼于一具有至少兩個穿孔的基板單元的下表面；

將上述至少兩顆半導體芯片容置于上述至少兩個穿孔內并設置于該覆著性高分子材料上，其中該些導電焊墊是面向該覆著性高分子材料；

將一封裝單元覆蓋于該基板單元、該覆著性高分子材料、及上述至少兩顆半導體芯片上；

將該封裝單元反轉并且移除該覆著性高分子材料，以使得該些導電焊墊外露并朝上；

成形具有多個第一導電層的第一導電單元，并且其中兩個第一導電層分別位于該至少兩顆半導體芯片的上方，其余的第一導電層的一端分別電性連接于該些導電焊墊；

成形具有多個第二導電層的第二導電單元，并且其中兩個第二導電層分別成形于上述位于該至少兩顆半導體芯片上方的兩個第一導電層上，其余的第二導電層分別成形于上述該些分別電性連接于該些導電焊墊的第一導電層上；

成形一具有多個絕緣層的絕緣單元于該些第一導電層彼此之間及該些第二導電層彼此之間，以使得該些第一導電層彼此之間及該些第二導電層彼此之間產生電性隔絕；以及

依序切割上述位于每一顆半導體芯片兩側的第二導電單元、第一導電單元、及封裝單元，以形成至少兩顆單顆的無基板單元的半導體芯片封裝結構。

8.如權利要求7所述的達成正面電性導通的無基板半導體封裝結構的制作方法，其特征在于，每一顆半導體芯片為一發光二極管芯片，所述封裝單元為一熒光材料或一透明材料，并且該些導電焊墊分成一正極焊墊及一負極焊墊，此外該發光二極管芯片具有一設置于該些導電焊墊的相反端的發光表面。

9.如權利要求7所述的達成正面電性導通的無基板半導體封裝結構的制作方法，其特征在于，每一顆半導體芯片為一光感測芯片，所述封裝單元為一透光材料，并且該些導電焊墊至少分成一電極焊墊組及一訊號焊墊組。