[發(fā)明專利]等離子顯示面板用前面板及其制造方法和等離子顯示面板無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810098550.6 | 申請日: | 2008-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN101312106A | 公開(公告)日: | 2008-11-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 齋藤光央;森田雅史;前島聰;山下英毅;藤井努;上木原伸幸 | 申請(專利權)人: | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01J17/02 | 分類號: | H01J17/02;H01J9/00;H01J17/49;H01J11/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種等離子顯示面板用前面板,包括:
基板;
在所述基板上形成的多個電極;
按照覆蓋所述各個電極和所述基板的方式形成的電介質(zhì)層;
按照覆蓋所述電介質(zhì)層的方式形成的電介質(zhì)保護層;和
在所述電介質(zhì)保護層上分散的粉體部件;
所述粉體部件,至少在與所述電介質(zhì)保護層未接觸的露出表面上,形成有厚度為10nm~300nm的退火層。
2.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板用前面板,其特征在于,
所述粉體部件,至少在與所述電介質(zhì)保護層未接觸的露出表面上,形成有厚度為10nm~100nm的退火層。
3.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板用前面板,其特征在于,
所述粉體部件,在其整個表面形成有退火層。
4.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板用前面板,其特征在于,
所述粉體部件通過照射電子射線而放出在波長域200nm~300nm內(nèi)具有峰值的陰極發(fā)光;
從所述退火層放出的陰極發(fā)光的發(fā)光強度比從在所述退火層的內(nèi)側(cè)鄰接的內(nèi)層放出的陰極發(fā)光的發(fā)光強度強。
5.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板用前面板,其特征在于,
所述粉體部件通過照射電子射線而放出在波長域200nm~300nm內(nèi)具有峰值的陰極發(fā)光;
從未與所述電介質(zhì)保護層連接的所述粉體部件的頂部放出的陰極發(fā)光的發(fā)光強度比從與所述電介質(zhì)保護層連接的所述粉體部件的底部放出的陰極發(fā)光的發(fā)光強度強。
6.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板用前面板,其特征在于,
所述粉體部件的平均粒徑在3.0μm以下。
7.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板用前面板,其特征在于,
所述粉體部件的平均粒徑在0.2μm以上。
8.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板用前面板,其特征在于,
所述粉體部件的母材的結晶結構為單結晶。
9.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板用前面板,其特征在于,
所述電介質(zhì)層含有氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶和氧化鋇中的至少一種。
10.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示面板用前面板,其特征在于,
所述粉體部件含有氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶和氧化鋇中的至少一種。
11.一種等離子顯示面板,其具有權利要求1~10中任意一項所述的等離子顯示面板用前面板。
12.一種等離子顯示面板用前面板的制造方法,包括:
在基板上形成多個電極;
按照覆蓋所述各個電極和所述基板的方式形成電介質(zhì)層;
按照覆蓋所述電介質(zhì)層的方式形成電介質(zhì)保護層;
在將粉體部件分散在所述電介質(zhì)保護層上后,在該粉體部件的露出表面照射能量波形成10nm~300nm的退火層。
13.根據(jù)權利要求12所述的等離子顯示面板用前面板的制造方法,其特征在于,
在將粉體部件分散在所述電介質(zhì)保護層上后,取代在該粉體部件的露出表面形成退火層,而是在所述粉體部件的整個表面照射能量波形成10nm~300nm的退火層,之后將該粉體部件分散在所述電介質(zhì)保護層上。
14.根據(jù)權利要求12所述的等離子顯示面板用前面板的制造方法,其特征在于,
所述粉體部件的表面的退火,通過閃光燈退火、激光退火、快速熱退火中的任意一種來進行。
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