[發明專利]制備超微細合金的方法

無效

• 申請號: 200810098420.2
• 申請日: 2008-05-08
• 公開（公告）號: CN101307399A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 丹尼·T·肖;克里斯·W·斯特羅克
• 申請（專利權）人: 英孚拉瑪特公司
• 主分類號: C22C1/04
• 分類號: C22C1/04;C22C29/08
• 代理公司: 北京市德權律師事務所
• 代理人: 王建國

1.制備超微細合金的方法，所述方法包含：

將晶粒生長抑制劑聚合物前體結合至合成超微細材料的組合物；

從含有所述結合前體的組合物合成所述超微細材料；

在合成所述超微細材料之前將合金添加劑結合至合成所述超微細 材料的組合物，或者，結合至剛合成的超微細材料以制備超微細合金- 晶粒生長抑制劑聚合物前體復合物；和

將所述超微細合金-晶粒生長抑制劑聚合物前體復合物處理以轉化 該晶粒生長抑制劑聚合物前體成晶粒生長抑制劑。

2.權利要求1的方法，其中所述合成步驟包括水溶液反應、無機 溶液反應、惰性氣體冷凝、化學蒸氣沉積、機械合金化或熱化學轉化。

3.權利要求1的方法，其中所述超微細材料包含納米結構晶粒、 超微細晶粒或包含至少一種上述晶粒的組合。

4.權利要求1的方法，其中所述晶粒生長抑制劑包含金屬、金屬 合金、金屬碳化物、金屬間化合物、陶瓷或包含至少一種上述材料的組 合。

5.權利要求1的方法，其中所述晶粒生長抑制劑聚合物前體包含 水溶性聚合物前體或低熔聚合物前體。

6.權利要求1的方法，其中所述晶粒生長抑制劑是TiC、BN或包 含至少一種上述晶粒生長抑制劑的組合，其中所述超微細材料是 WC/Co，且所述合金添加劑是Cr、TiC、Mo或包含至少一種上述合金 添加劑的組合。

7.權利要求1的方法，其中所述超微細材料包含金屬、金屬合金、 金屬陶瓷、金屬間化合物、陶瓷、陶瓷-陶瓷復合物或包含至少一種上 述材料的組合。

8.權利要求1的方法，其中所述超微細材料選自Cu、FeCu、FeCo、 NiAl、MoC、MoSi、NiCr、TiC、Mo₂Si、NiCr/Cr₃C₂、Fe/TiC、Ni/TiC、 Mo/TiC和WC/Co，上述金屬與Ti、Cr、Mo、Ni、Zr、Ce、Fe、Al、 Si、V、TiC、Mn、Y、W中的一種或多種的合金，和包含至少一種上 述材料的組合。

9.權利要求1的方法，其中所述合金添加劑包含金屬粉末、陶瓷 粉末或包含至少一種上述粉末的組合。

10.權利要求1的方法，其中所述合金添加劑包含Ti、Cr、Mo、 Ni、Zr、Ce、Fe、Al、Si、V、TiC、Mn、Y、W、前述添加劑的合金、 前述添加劑的氮化物或前述添加劑的金屬間化合物。

11.權利要求1的方法，其中所述處理步驟包含在對降解所述該晶 粒生長抑制劑聚合物前體有效的溫度下加熱處理所述復合物。

12.制備超微細合金的方法，所述方法包含：

合成含有超微細顆粒的超微細材料；

用晶粒生長抑制劑聚合物前體將所述超微細顆粒包衣；

在合成之前將合金添加劑結合至合成所述超微細材料的組合物，或 者，結合至所述剛合成的超微細材料以至于制備超微細合金-晶粒生長 抑制劑聚合物前體組合物作為所述包衣的結果；和

將所述超微細合金-晶粒生長抑制劑聚合物前體組合物處理以將所 述晶粒生長抑制劑聚合物前體至少部分轉化為晶粒生長抑制劑。

13.權利要求12的方法，其中通過將晶粒生長抑制劑聚合物前體 和所述合金添加劑與用于所述超微細顆粒的包衣的溶液相組合，將所述 合金添加劑結合至所述剛合成的超微細材料。

14.權利要求12的方法，其中通過在包衣之前將所述合金添加劑 與所述超微細顆粒一起球磨，將所述合金添加劑結合至所述剛合成的超 微細材料。

15.權利要求12的方法，其中所述合成步驟包括水溶液反應、無 機溶液反應、惰性氣體冷凝、化學蒸氣沉積、機械合金化、或熱化學轉 化。