[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體發(fā)光裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810098406.2
• 申請(qǐng)日: 2008-05-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101325195A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安食秀一;川上康之;赤木努;原田光范
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 斯坦雷電氣株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/075
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/075
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，該半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括：

多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件，每個(gè)所述半導(dǎo)體發(fā)光器件都具有上表面和側(cè) 表面，所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件彼此隔開(kāi)，在相鄰半導(dǎo)體發(fā)光器件的側(cè) 表面之間具有間隙；和

波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層包含用于對(duì)由所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件 發(fā)射的光的至少一部分進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層 被形成為橋接全部所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件的所述上表面，其中，

所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件之間的所述間隙填充有包括反射部件、散 射部件和空氣中的任一種的填充部件，并且，所述填充部件比所述半導(dǎo) 體發(fā)光器件的所述上表面高。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述半導(dǎo)體發(fā)光 器件包括不透明器件基板和形成在所述不透明器件基板上并且具有側(cè)表 面的半導(dǎo)體層疊部，所述半導(dǎo)體層疊部的所述側(cè)表面覆蓋有所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn) 換層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述半導(dǎo)體發(fā)光 器件包括透明器件基板和形成在所述透明器件基板上并且具有側(cè)表面的 半導(dǎo)體層疊部，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件的不面向另一半導(dǎo)體發(fā)光器件的所 述側(cè)表面覆蓋有所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層和反射層中的任何層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層 的與所述間隙相對(duì)應(yīng)的部分比所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層在所述半導(dǎo)體發(fā)光器件的 所述上表面的厚度更薄。

5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中， 所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料是熒光體。