[發(fā)明專利]利用間隔物掩模的頻率加倍

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810098364.2
• 申請(qǐng)日: 2008-05-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101339361A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 克里斯多佛·D·本徹爾;堀岡啟治
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): G03F1/00
• 分類號(hào): G03F1/00;H01L21/00;H01L21/027
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 趙飛

1.一種用于制造半導(dǎo)體掩模的方法，包括：

提供具有犧牲掩模和間隔物掩模的半導(dǎo)體疊層，其中所述犧牲掩模由一系列線構(gòu)成，并且所述間隔物掩模包括與所述一系列線的側(cè)壁鄰接的間隔物線；以及

在修剪所述間隔物掩模之后，去除所述犧牲掩模。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，間隔物線的頻率是所述犧牲掩模的所述一系列線的頻率的兩倍。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述犧牲掩模的所述一系列線的節(jié)距為大致4。

4.一種用于制造半導(dǎo)體掩模的方法，包括：

提供具有由一系列線構(gòu)成的犧牲掩模的半導(dǎo)體疊層；

在所述半導(dǎo)體疊層上方并且與所述犧牲掩模共形地沉積間隔物層；

刻蝕所述間隔物層，以提供間隔物掩模并暴露所述犧牲掩模的頂表面，其中所述間隔物掩模具有與所述犧牲掩模的所述一系列線的側(cè)壁鄰接的間隔物線；

在所述間隔物掩模和所述犧牲掩模上方沉積并圖案化光刻膠層，以暴露所述間隔物掩模的一部分；

刻蝕所述間隔物掩模的所述暴露部分，以修剪所述間隔物掩模；以及

在刻蝕所述間隔物掩模之后，去除所述犧牲掩模以提供經(jīng)修剪的間隔物掩模。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述間隔物層基本由硅構(gòu)成，所述犧牲掩模的頂部基本由選自氮化硅和氧化硅的材料構(gòu)成，并且刻蝕所述間隔物層以提供所述間隔物掩模包括利用采用選自Cl₂和HBr的氣體的干法刻蝕工藝。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，去除所述犧牲掩模以提供所述經(jīng)修剪的間隔物掩模包括利用選自熱H₃PO₄濕法刻蝕、含水氫氟酸濕法刻蝕和SiCoNi刻蝕的刻蝕工藝。

7.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述間隔物層基本由氧化硅構(gòu)成，所述犧牲掩模的頂部基本由選自氮化硅和硅的材料構(gòu)成，并且刻蝕所述間隔物層以提供所述間隔物掩模包括利用采用選自C₄F₈和CHF₃的氣體的干法刻蝕工藝。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，去除所述犧牲掩模以提供所述經(jīng)修剪的間隔物掩模包括利用選自熱H₃PO₄濕法刻蝕、SiCoNi刻蝕、Cl₂等離子體刻蝕和CF₄/O₂等離子體刻蝕的刻蝕工藝。

9.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述間隔物層基本由氮化硅構(gòu)成，所述犧牲掩模的頂部基本由選自氧化硅和硅的材料構(gòu)成，并且刻蝕所述間隔物層以提供所述間隔物掩模包括利用采用選自CH₂F₂和CHF₃的氣體的干法刻蝕工藝。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，去除所述犧牲掩模以提供所述經(jīng)修剪的間隔物掩模包括利用選自含水氫氟酸濕法刻蝕、SiCoNi刻蝕、Cl₂等離子體刻蝕和CF₄/O₂等離子體刻蝕的刻蝕工藝。

11.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，間隔物線的頻率是所述犧牲掩模的所述一系列線的頻率的兩倍。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述犧牲掩模的所述一系列線的節(jié)距為大致4。

13.如權(quán)利要求4所述的方法，還包括：

將所述經(jīng)修剪的間隔物掩模的圖像轉(zhuǎn)移到掩模疊層，其中所述掩模疊層處于所述半導(dǎo)體疊層中并處于所述犧牲掩模下方，所述掩模疊層包括無(wú)定型碳膜層。