[發明專利]利用具有插入區域的間隔物掩模的頻率三倍化

無效

• 申請號: 200810098362.3
• 申請日: 2008-05-30
• 公開（公告）號: CN101315515A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發明（設計）人: 克里斯多佛·D·本徹爾;堀岡啟治
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;H01L21/00;H01L21/027
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 趙飛

1.一種用于制造半導體掩模的方法，包括：

提供具有犧牲掩模的半導體疊層，其中所述犧牲掩模由一系列線構成；

形成間隔物掩模，所述間隔物掩模包括與所述一系列線的側壁鄰接的 間隔物線和處于所述間隔物線之間的插入線，其中，所述間隔物線和所述 插入線具有相同寬度，并且所述間隔物掩模的間隔物線和插入線的頻率是 所述犧牲掩模的所述一系列線的頻率的三倍；

去除所述犧牲掩模；以及

修剪所述間隔物掩模的每一個所述間隔物線的一部分，以形成具有插 入線的經修剪的間隔物掩模，其中在形成所述具有插入線的經修剪的間隔 物掩模之后，所述犧牲掩模被去除。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲掩模的所述一系列線的 節距為6。

3.一種用于制造半導體掩模的方法，包括：

提供具有由一系列線構成的犧牲掩模的半導體疊層；

在所述半導體疊層上方并且與所述犧牲掩模共形地沉積間隔物層；

在所述間隔物層上方并且在所述犧牲掩模的所述一系列線之間內插地 沉積和圖案化光刻膠層；

刻蝕所述間隔物層，以提供間隔物掩模，其中所述間隔物掩模具有與 所述犧牲掩模的所述一系列線的側壁鄰接的間隔物線和插入線，其中所述 刻蝕所述間隔物層暴露所述犧牲掩模的頂表面；

修剪所述間隔物掩模的每一個所述間隔物線的一部分，以形成具有插 入線的經修剪的間隔物掩模；以及

在形成所述具有插入線的經修剪的間隔物掩模之后，去除所述犧牲掩 模。

4.如權利要求3所述的方法，其中，所述間隔物層由硅構成，所述犧 牲掩模的頂部由選自氮化硅和氧化硅的材料構成，并且刻蝕所述間隔物層 以提供所述間隔物掩模包括利用采用選自Cl₂和HBr的氣體的干法刻蝕工 藝。

5.如權利要求4所述的方法，其中，去除所述犧牲掩模包括利用選自 熱H₃PO₄濕法刻蝕、含水氫氟酸濕法刻蝕和SiCoNi刻蝕的刻蝕工藝。

6.如權利要求3所述的方法，其中，所述間隔物層由氧化硅構成，所 述犧牲掩模的頂部由選自氮化硅和硅的材料構成，并且刻蝕所述間隔物層 以提供所述間隔物掩模包括利用采用選自C₄F₈和CHF₃的氣體的干法刻蝕 工藝。

7.如權利要求6所述的方法，其中，去除所述犧牲掩模包括利用選自 熱H₃PO₄濕法刻蝕、SiCoNi刻蝕、Cl₂等離子體刻蝕和CF₄/O₂等離子體刻 蝕的刻蝕工藝。

8.如權利要求3所述的方法，其中，所述間隔物層由氮化硅構成，所 述犧牲掩模的頂部由選自氧化硅和硅的材料構成，并且刻蝕所述間隔物層 以提供所述間隔物掩模包括利用采用選自CH₂F₂和CHF₃的氣體的干法刻 蝕工藝。

9.如權利要求8所述的方法，其中，去除所述犧牲掩模包括利用選自 含水氫氟酸濕法刻蝕、SiCoNi刻蝕、Cl₂等離子體刻蝕和CF₄/O₂等離子體 刻蝕的刻蝕工藝。

10.如權利要求3所述的方法，其中，所述間隔物掩模的間隔物線和 插入線的頻率是所述犧牲掩模的所述一系列線的頻率的三倍。