[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810098335.6
• 申請(qǐng)日: 2008-05-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101312211A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李文榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 章社杲;李丙林

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

漂移區(qū)，所述漂移區(qū)鄰近襯底中的通道區(qū)而形成；

第一掩埋絕緣層，所述第一掩埋絕緣層形成在所述漂移區(qū)中；以及

第一減小表面場(chǎng)區(qū)，所述第一減小表面場(chǎng)區(qū)設(shè)置在所述第一掩埋絕緣層與所述漂移區(qū)之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：

第二掩埋絕緣層，所述第二掩埋絕緣層形成在所述襯底中，用于限定有源區(qū)和器件隔離區(qū)；以及

第二減小表面場(chǎng)區(qū)，所述第二減小表面場(chǎng)區(qū)設(shè)置在所述第二掩埋絕緣層與所述襯底之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)所述襯底具有第一導(dǎo)電類型而所述漂移區(qū)具有第二導(dǎo)電類型時(shí)，所述第一減小表面場(chǎng)區(qū)具有所述第一導(dǎo)電類型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)所述襯底具有第一導(dǎo)電類型而所述漂移區(qū)具有第二導(dǎo)電類型時(shí)，所述第一減小表面場(chǎng)區(qū)具有所述第二導(dǎo)電類型。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一減小表面場(chǎng)區(qū)具有10¹¹至10¹²個(gè)離子/cm²的摻雜濃度。?

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一減小表面場(chǎng)區(qū)具有?的厚度。?

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述漂移區(qū)的摻雜濃度高于所述第一減小表面場(chǎng)區(qū)的所述摻雜濃度。?

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述漂移區(qū)在形成于所述襯底中的勢(shì)阱中形成。?

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二掩埋絕緣層在所述勢(shì)阱和所述漂移區(qū)上方形成。?

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二掩埋絕緣層在所述勢(shì)阱中除了所述漂移區(qū)之外的一部分中形成。?

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：?

柵極，所述柵極形成在所述勢(shì)阱上的所述通道區(qū)中；以及?

源極/漏極區(qū)，所述源極/漏極區(qū)形成在設(shè)置在所述第一掩埋絕緣層與所述第二掩埋絕緣層之間的所述漂移區(qū)中。?

12.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：?

鄰近襯底上的通道區(qū)而形成漂移區(qū)；接著?

在所述漂移區(qū)中形成第一溝槽；隨后?

在所述第一溝槽的內(nèi)壁上形成第一減小表面場(chǎng)區(qū)；以及隨后?

在所述第一溝槽上形成第一掩埋絕緣層，所述第一溝槽包括所述第一掩埋絕緣層。?

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括：

在形成所述第一溝槽的過(guò)程中，在所述襯底上形成第二溝槽，所述第二溝槽用于限定有源區(qū)和器件隔離區(qū)；以及隨后在所述第二溝槽的內(nèi)壁上形成第二減小表面場(chǎng)區(qū)。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，當(dāng)所述襯底具有第一導(dǎo)電類型而所述漂移區(qū)具有第二導(dǎo)電類型時(shí)，通過(guò)將所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)離子注入到所述第一溝槽的所述內(nèi)壁中而形成所述第一減小表面場(chǎng)區(qū)。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，當(dāng)所述襯底具有第一導(dǎo)電類型而所述漂移區(qū)具有第二導(dǎo)電類型時(shí)，通過(guò)將所述第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)離子注入到所述第一溝槽的所述內(nèi)壁中而形成所述第一減小表面場(chǎng)區(qū)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述第一導(dǎo)電類型是p型，所述第二導(dǎo)電類型是n型，并且所述雜質(zhì)離子包括砷。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述漂移區(qū)形成于在所述襯底中形成的勢(shì)阱中。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第二溝槽形成于所述勢(shì)阱和所述漂移區(qū)中。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第二溝槽形成于所述勢(shì)阱中除了所述漂移區(qū)之外的一部分中。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括：

在包括所述第二減小表面場(chǎng)區(qū)的所述第二溝槽上形成第二掩埋絕緣層；接著?

在所述勢(shì)阱上的所述通道區(qū)中形成柵極；以及隨后?

在所述第一掩埋絕緣層與所述第二掩埋絕緣層之間的所述漂移區(qū)中形成源極/漏極區(qū)。?