[發明專利]半導體集成電路裝置的制造方法有效

申請號：	200810098316.3	申請日：	2008-05-23
公開（公告）號：	CN101312120A	公開（公告）日：	2008-11-26
發明（設計）人：	河內敏秀;不動秀企巳	申請（專利權）人：	株式會社瑞薩科技
主分類號：	H01L21/00	分類號：	H01L21/00;H01L21/027;H01L21/82;G03F7/20
代理公司：	北京律盟知識產權代理有限責任公司	代理人：	劉國偉
地址：	日本***	國省代碼：	日本;JP
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體集成電路裝置制造方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及一種適用于半導體集成電路裝置(或者半導體裝置)的制造方法中的光刻工藝控制技術中的有效技術。

背景技術

在日本專利特開2006-228843號公報(專利文獻1)或者所述公報所對應的美國專利公開2006-0183040號公報(專利文獻2)中揭示了以下APC(Advanced?Process?Control，高級過程控制)法：根據使用散射儀(Scatterometer)所獲得的反射光譜數據，利用多變量分析法來推斷聚焦信息。

在日本專利特公表2006-523039號公報(專利文獻3)或者所述公報所對應的美國專利7119893號公報(專利文獻4)中揭示了如下技術：使用散射測量法(Scatterometry)，在曝光時對聚焦中心進行評估。

另外，在日本專利特開平10-135112號公報(專利文獻5)中揭示了如下技術：檢測出曝光時的反射光，然后在曝光時對潛像狀態的感光參數進行評估。

此外，在日本專利特開2003-224057號公報(專利文獻6)或者所述公報所對應的美國專利6762111號公報(專利文獻7)中，揭示了使用散射測量法來實現最佳定位的技術。

專利文獻1：日本專利特開2006-228843號公報

專利文獻2：美國專利公開2006-0183040號公報

專利文獻3：日本專利特公表2006-523039號公報

專利文獻4：美國專利7119893號公報

專利文獻5：日本專利特開平10-135112號公報

專利文獻6：日本專利特開2003-224057號公報

專利文獻7：美國專利6762111號公報

發明內容

[發明所欲解決的問題]

隨著近年來半導體工藝的微細化，對光刻工藝中的聚焦預算(批量生產時產品流動中所需的聚焦裕度)來說，在各工序中確保充分的聚焦裕度變得日益困難。出現所述情況的背景在于，由于曝光裝置性能、晶片、掩膜、光阻材料等存在性能極限，從而使得用戶方面難以解決問題。除了以往的只對曝光量進行的APC控制以外，還需要對聚焦(Focus)量實施APC控制。但是，一般來說，并沒有將曝光量與聚焦量分開來定量化的簡便方法，所以多數情況下采取的應對方法是，使用CD-SEM(CriticalDemension-Scanning?Electron?Microscope，臨界尺寸掃描電子顯微鏡)測量上表面尺寸，以此來代表整體變化量的檢測，只利用曝光量來實施尺寸的APC控制。

本發明的目的在于提供一種高精度控制半導體集成電路裝置的制造工藝的技術。

本發明的所述目的及其它目的與新穎特征將通過本說明書的記述和附圖而明確。

[解決問題的技術手段]

對本申請書所揭示的發明中具有代表性的方面的概要簡單說明如下。

即，本申請書發明是使用先行處理過的晶片，利用散射測量法而獲得光阻材料的截面輪廓，再根據所述截面輪廓，對隨后處理的晶片的曝光時的聚焦設定進行修正。

[發明的效果]

對通過本申請書所揭示的發明中具有代表性的方面而獲得的效果，簡單說明如下。

即，由于與曝光量分開來推斷聚焦值，所以可以實現高精度的聚焦控制。

附圖說明

圖1是表示本實施方式的半導體集成電路裝置的制造方法的整體流程的工序流程圖。

圖2是表示本實施方式的半導體集成電路裝置的制造方法的襯底膜及光阻膜的形成工序的截面圖。

圖3是表示本實施方式的半導體集成電路裝置的制造方法的曝光工序的示意截面圖。