[發明專利]發光元件的封裝結構及其制造方法無效
| 申請號: | 200810098308.9 | 申請日: | 2008-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN101587925A | 公開(公告)日: | 2009-11-25 |
| 發明(設計)人: | 蔡佳倫;倪慶羽;錢文正;吳上義;周正德 | 申請(專利權)人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光元件的封裝結構,其特征在于,包括:
一發光元件晶片;
一第一電極層,設置于該發光元件晶片的第一表面上;
一第二電極層,設置于該發光元件晶片的第二表面上;
一蓋板,覆蓋該發光元件晶片的發光面;
一絕緣層,包覆該發光元件晶片的側面和背面;
一第一導線層,電性連接該第一電極層,并沿著該絕緣層延伸至該發光元件晶片的背面;以及
一第二導線層,電性連接該第二電極層,其中該第二導線層位于該絕緣層上,并沿著該絕緣層延伸至該發光元件晶片的背面。
2.根據權利要求1所述的發光元件的封裝結構,其特征在于,該第一表面包括該發光面,該第二表面包括該發光元件晶片的背面。
3.根據權利要求2所述的發光元件的封裝結構,其特征在于,該第二導線層通過一穿過該絕緣層的導電柱而電性連接至位于該發光元件晶片背面的第二電極層。
4.根據權利要求3所述的發光元件的封裝結構,其特征在于,該第一電極層位于該發光面的邊緣而與該第一導線層電性連接。
5.根據權利要求1所述的發光元件的封裝結構,其特征在于,該第一電極層和該第二電極層所在的該第一表面和該第二表面位于該發光面的不同位置且兩者不共平面。
6.根據權利要求1所述的發光元件的封裝結構,其特征在于,還包括一熒光層,設置于該發光元件晶片與該蓋板之間。
7.根據權利要求1所述的發光元件的封裝結構,其特征在于,還包括:
一粘著層,設置于該發光元件晶片上;以及
一支撐層,設置于該粘著層上,且位于該發光元件晶片周圍。
8.根據權利要求1所述的發光元件的封裝結構,其特征在于,該發光元件晶片的背面處還包括一或多個散熱圖案。
9.根據權利要求8所述的發光元件的封裝結構,其特征在于,還包括多個導電塊及散熱塊,設置于該發光元件晶片的背面,其中所述導電塊電性連接至該第一導線層及該第二導線層,所述散熱塊連接至所述散熱圖案。
10.根據權利要求9所述的發光元件的封裝結構,其特征在于,該第一導線層和該第二導線層及所述散熱圖案為同一金屬層。
11.根據權利要求10所述的發光元件的封裝結構,其特征在于,還包括多個介層孔插塞,從該發光元件晶片的背面延伸至該發光元件晶片中,并連接至所述散熱圖案。
12.根據權利要求11所述的發光元件的封裝結構,其特征在于,還包括一散熱材料層,設置于該發光元件晶片的背面,且介于該發光元件晶片與該第一導線和該第二導線之間。
13.根據權利要求7所述的發光元件的封裝結構,其特征在于,還包括一反光元件,設置于該支撐層的內側壁或外側壁上。
14.一種發光元件的封裝結構的制造方法,其特征在于,包括下列步驟:
提供一晶圓,其包括多個發光元件晶片;
一第一電極層,設置于所述發光元件晶片的一表面上;
一第二電極層,設置于所述發光元件晶片的另一表面上;
于該晶圓的發光元件晶片的發光面上覆蓋一蓋板;
至少移除該晶圓背面的一部分以形成一溝槽,并露出該第一電極層及該第二電極層的接觸面;以及
順應性形成至少二條導線層,其自該溝槽的側壁延伸至該晶圓的背面,并分別電性連接至該第一電極層和該第二電極層的接觸面。
15.根據權利要求14所述的發光元件的封裝結構的制造方法,其特征在于,形成該第一導線層和該第二導線層之前還包括順應性于該溝槽的側面和發光元件晶片背面形成一絕緣層。
16.根據權利要求15所述的發光元件的封裝結構的制造方法,其特征在于,還包括:
于該發光元件晶片與該蓋板之間形成一熒光層;
于該晶圓的背面形成一或多個散熱圖案;以及
于該晶圓的背面形成多個導電塊及散熱塊,其中所述導電塊電性連接至該第一導線層和該第二導線層,所述散熱塊連接至所述散熱圖案。
17.根據權利要求16所述的發光元件的封裝結構的制造方法,其特征在于,該第一導線層和該第二導線層及所述散熱圖案為同一金屬層,且還包括形成多個介層孔插塞,以從所述發光元件晶片的背面延伸至所述發光元件晶片中,并連接至所述散熱圖案;以及
實施一切割步驟,以分離封裝后的各該發光元件晶片。
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