[發(fā)明專利]用于在低電壓域斷電時(shí)防止電流泄漏的設(shè)備和方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810098195.2 | 申請(qǐng)日： | 2008-05-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101312343A | 公開（公告）日： | 2008-11-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊格;林黃果;查爾斯·洲原·楊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 輝達(dá)公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K19/003 | 分類號(hào)： | H03K19/003;H03K19/0175;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 電壓 斷電 防止 電流 泄漏 設(shè)備 方法 | ||
1.一種防止電流泄漏的設(shè)備，其包含：
連接在低電壓域與高電壓域之間的電壓轉(zhuǎn)變電路，所述電壓轉(zhuǎn)變電路包括用于在 所述低電壓域斷電時(shí)防止電流泄漏或直流電流的電路組件；
其中所述電壓轉(zhuǎn)變電路包括輸入下降轉(zhuǎn)變電路，所述輸入下降轉(zhuǎn)變電路包含：
第一p型晶體管；以及
第一n型晶體管，其漏極在接觸點(diǎn)處連接到所述第一p型晶體管的漏極，源 極連接到單軌輸入，所述第一p型晶體管的源極連接到所述高電壓域的VDDH電 壓；
其中所述第一n型晶體管的柵極連接到反向斷電輸入，其中所述反向斷電輸 入用于指示低電壓域是否處于斷電模式；
其中所述電壓轉(zhuǎn)變電路包括輸入上升轉(zhuǎn)變電路，所述輸入上升轉(zhuǎn)變電路包含：
第二n型晶體管，其柵極連接到單軌輸入，所述第二n型晶體管的源極連接 到接地電壓，且漏極連接到輸出接觸點(diǎn)，所述輸出接觸點(diǎn)連接到輸入下降轉(zhuǎn)變電路 的第一p型晶體管的柵極；以及
第二p型晶體管，其漏極連接到所述輸出接觸點(diǎn)，且柵極連接到所述輸入下 降轉(zhuǎn)變電路的接觸點(diǎn)；
其中所述電壓轉(zhuǎn)變電路包含第三n型晶體管，其柵極連接斷電輸入，源極連接到 所述接地電壓，且漏極連接到所述輸出接觸點(diǎn)，其中所述斷電輸入用于指示低電壓 域是否處于斷電模式。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述低電壓域和所述高電壓域是處理器的組件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述處理器包括圖形處理器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述低電壓域連接到單軌輸入。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述電壓轉(zhuǎn)變電路連接到所述單軌輸入，以將經(jīng) 由所述單軌輸入接收到的所述低電壓域的電壓轉(zhuǎn)換成所述高電壓域的電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述輸入上升轉(zhuǎn)變電路具有與所述第二p型晶體 管串聯(lián)連接的第三p型晶體管，所述第三p型晶體管的漏極連接到所述第二p型晶 體管的源極，且柵極連接到所述單軌輸入。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述輸入上升轉(zhuǎn)變電路包含：
第四p型晶體管，其柵極連接斷電輸入，源極連接到所述第三p型晶體管的所述 漏極，且漏極連接到所述高電壓域的VDDH電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述輸出接觸點(diǎn)連接反相器的輸入。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電路組件適合于在所述低電壓域斷電時(shí)防止 直流電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電壓轉(zhuǎn)變電路是處理器的經(jīng)由總線耦合到存 儲(chǔ)器的組件。
11.一種防止電流泄漏的方法，其包含：
在電壓轉(zhuǎn)變電路處接收來自低電壓域的電源電壓；
將來自所述低電壓域的所述電源電壓轉(zhuǎn)換到高電壓域；以及
在所述低電壓域斷電時(shí)防止電流泄漏或直流電流；
其中所述電壓轉(zhuǎn)變電路包括輸入下降轉(zhuǎn)變電路，所述輸入下降轉(zhuǎn)變電路包含：
第一p型晶體管；以及
第一n型晶體管，其漏極在接觸點(diǎn)處連接到所述第一p型晶體管的漏極，源 極連接到單軌輸入，所述第一p型晶體管的源極連接到所述高電壓域的VDDH電 壓；
其中所述第一n型晶體管的柵極連接到反向斷電輸入，其中所述反向斷電輸 入用于指示低電壓域是否處于斷電模式；
其中所述電壓轉(zhuǎn)變電路包括輸入上升轉(zhuǎn)變電路，所述輸入上升轉(zhuǎn)變電路包含：
第二n型晶體管，其柵極連接到單軌輸入，所述第二n型晶體管的源極連接 到接地電壓，且漏極連接到輸出接觸點(diǎn)，所述輸出接觸點(diǎn)連接到輸入下降轉(zhuǎn)變電路 的第一p型晶體管的柵極；以及
第二p型晶體管，其漏極連接到所述輸出接觸點(diǎn)，且柵極連接到所述輸入下 降轉(zhuǎn)變電路的接觸點(diǎn)；
其中所述電壓轉(zhuǎn)變電路包含第三n型晶體管，其柵極連接斷電輸入，源極連接到 所述接地電壓，且漏極連接到所述輸出接觸點(diǎn)，其中所述斷電輸入用于指示低電壓 域是否處于斷電模式。
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