[發明專利]半導體元件結構及半導體元件的制造方法

無效

• 申請號: 200810097859.3
• 申請日: 2008-05-19
• 公開（公告）號: CN101587831A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 黃世晟;涂博閔;詹世雄
• 申請（專利權）人: 先進開發光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20;H01L23/00;H01L33/00;H01L31/0236;H01L31/18;H01S5/323
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 晨;張浴月

1.一種半導體元件的制造方法，包含：

提供基板，在該基板表面形成多條溝槽，使該基板成為圖案化基板，該 圖案化基板表面通過該多條溝槽而被劃分成多個平臺結構，該溝槽的寬度大 于或等于2μm，該溝槽的深度介于1～15μm，單一該平臺結構為方形、菱 形、圓形、橢圓形、平行四邊形或其它任意多邊形，單一該平臺結構表面的 平均直徑或邊長介于50μm～2mm；與

成長半導體元件于該圖案化基板表面，該半導體元件具有至少一層膜層， 其中，與該圖案化基板接觸的該膜層為第一膜層，該第一膜層通過該多條溝 槽而被劃分成多個不相連的區域。

2.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中該基板上的圖案利 用光刻或激光雕刻的方式形成。

3.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，該半導體元件為光電元 件或發光二極管。

4.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，該第一膜層為三族氮化 物半導體材料，該三族氮化物半導體材料可為Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0≤x+y ≤1，該圖案化基板的材料為藍寶石。

5.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，該圖案化基板用以降低 該第一膜層內部的應力。

6.一種半導體元件結構，包含：

圖案化基板，該圖案化基板具有多條溝槽，該圖案化基板表面通過該多 條溝槽而被劃分成多個平臺結構，該溝槽的寬度大于或等于2μm，該溝槽的 深度介于1～15μm，單一該平臺結構為方形、菱形、圓形、橢圓形、平行四 邊形或其它任意多邊形，單一該平臺結構表面的平均直徑或邊長介于50μm ～2mm；與

半導體元件，該半導體元件位于該圖案化基板表面，

該半導體元件具有至少一層膜層，其中，與該圖案化基板接觸的該膜 層為第一膜層，該第一膜層通過該多條溝槽而被劃分成多個不相連的區 域。

7.如權利要求6所述的半導體元件結構，該圖案化基板用以降低該第一 膜層內部的應力。

8.如權利要求6所述的半導體元件結構，該第一膜層為三族氮化物半導 體材料，該三族氮化物半導體材料可為Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0≤x+y≤1，該 圖案化基板的材料為藍寶石。

9.如權利要求6所述的半導體元件結構，該半導體元件為光電元件或為 發光二極管。