[發明專利]一種濺鍍方法及濺鍍設備

無效

• 申請號: 200810097817.X
• 申請日: 2008-05-15
• 公開（公告）號: CN101260510A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 范繼良;楊明生;謝金橋;劉濤;王勇
• 申請（專利權）人: 東莞宏威數碼機械有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 李玲

1.一種濺鍍方法，包括以下步驟：

取來待濺鍍的盤片并將其抽真空至預真空后，將所述盤片旋轉傳輸到第一濺鍍腔；

通過所述第一濺鍍腔進行濺鍍，在達到預定設置的膜厚A時停止濺鍍，并將已濺鍍的盤片旋轉傳輸到第二濺鍍腔；以及

由所述第二濺鍍腔將所述已濺鍍的膜厚繼續濺鍍到膜厚B，所述膜厚B為預定設置的要濺鍍的總膜厚，膜厚B≥膜厚A，且均為常數。

2.如權利要求1所述濺鍍方法，其中，所述膜厚B是膜厚A的兩倍。

3.如權利要求1所述濺鍍方法，其中，從所述第一濺鍍腔將所述盤片旋轉傳輸到所述第二濺鍍腔的操作，還包括：

將所述已濺鍍的盤片經旋轉傳輸到腔內閑置托盤位進行中轉，再由所述腔內閑置托盤位傳輸到所述第二濺鍍腔。

4.如權利要求3所述濺鍍方法，其中，將所述腔內盤片閑置位設置在所述第一濺鍍腔和所述第二濺鍍腔之間的中間位置。

5.如權利要求1所述濺鍍方法，其中，由所述第二濺鍍腔進行濺鍍的操作包括：

通過改變所述第二濺鍍腔所包括的第二陰極磁體徑向位置及其高度來調節靶材表面磁場水平分量的分布，并對靶材內圈和外圈進行刻蝕。

6.一種濺鍍設備，包括：

載鎖腔，用于取來待濺鍍的盤片并將其抽真空至預真空后傳送給腔內手臂，并從所述腔內手臂獲取已濺鍍完的盤片；

腔內手臂，用于將所述盤片從所述載鎖腔旋轉傳輸到第一濺鍍腔，將所述第一濺鍍腔已濺鍍的盤片旋轉傳輸到第二濺鍍腔，以及將所述第二濺鍍腔濺鍍后的盤片旋轉傳輸到所述載鎖腔；

第一濺鍍腔，用于在其所包括的第一陰極產生的磁場作用下為盤片濺鍍膜層，在達到預定設置的膜厚A時停止濺鍍，所述膜厚A為常數；以及

第二濺鍍腔，包括：

第二陰極，用于產生磁場；

濺鍍單元，根據所述磁場進行盤片濺鍍；

檢測單元，檢測第一濺鍍腔已濺鍍的膜厚以及所述濺鍍單元已濺鍍的膜厚并通知控制單元；

控制單元，根據預定設置的要濺鍍的總膜厚B以及所述第一濺鍍腔已濺鍍的膜厚控制所述濺鍍單元的濺鍍過程，即當所述濺鍍單元濺鍍的膜厚為膜厚B減去所述第一濺鍍腔已濺鍍膜厚時，通知所述濺鍍單元停止濺鍍，膜厚B≥膜厚A，且所述膜厚B為常數。

7.如權利要求6所述濺鍍設備，其中，所述膜厚B是膜厚A的兩倍。

8.如權利要求6所述濺鍍設備，還包括：

腔內盤片閑置位，設置在所述第一濺鍍腔和所述第二濺鍍腔之間，用于將所述第一濺鍍腔已濺鍍的盤片中轉到所述第二濺鍍腔。

9.如權利要求8所述濺鍍設備，其中，所述腔內盤片閑置位設置在所述第一濺鍍腔和所述第二濺鍍腔之間的中間位置。

10.如權利要求6所述濺鍍設備，還包括：

第一陰極開啟裝置，用于將所述第一陰極垂直升高一定高度后打開；和/或

第二陰極開啟裝置，用于將所述第二陰極垂直升高一定高度后打開。

11.如權利要求6所述濺鍍設備，還包括：倒立安裝的分子泵，所述分子泵用于為所述第一濺鍍腔和/或所述第二濺鍍腔產生高真空。

12.如權利要求6所述濺鍍設備，其中：

所述控制單元改變所述第二陰極磁體徑向位置及其高度來調節靶材表面磁場水平分量的分布；以及

所述濺鍍單元根據所述磁場將靶材內圈和外圈進行刻蝕濺鍍。