[發(fā)明專利]基于第Ⅲ族氮化物的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810097730.2
• 申請(qǐng)日: 2008-05-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101339969A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 守山實(shí)希;五所野尾浩一;一杉太郎;長(zhǎng)谷川哲也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 豐田合成株式會(huì)社;財(cái)團(tuán)法人神奈川科學(xué)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 蔡勝有;劉繼富

1.一種具有透明電極的基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述透明電極包含用至少一種選自以下物質(zhì)摻雜的氧化鈦：鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、砷(As)、銻(Sb)、鋁(Al)和鎢(W)，摻雜的摩爾比為相對(duì)于鈦(Ti)的1～10％，并且所述透明電極在其至少一部分上具有浮凸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述透明電極包含選自氧化鈦鈮和氧化鈦鉭中的至少一種，其中鈮(Nb)和鉭(Ta)對(duì)鈦(Ti)的摩爾比分別為3～10％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其具有基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體接觸層，并且在所述透明電極和所述接觸層之間沒(méi)有由不同于所述接觸層和所述透明電極的材料制成的層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其具有基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體接觸層，并且在所述透明電極和所述接觸層之間沒(méi)有由不同于所述接觸層和所述透明電極的材料制成的層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述透明電極與所述接觸層接觸，并且所述透明電極與所述接觸層的折射率之比為0.98～1.02。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述透明電極與所述接觸層接觸，并且所述透明電極與所述接觸層的折射率之比為0.98～1.02。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其具有基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體接觸層，并且在所述透明電極和所述接觸層之間僅有透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層由不同于所述接觸層和所述透明電極的材料制成，并且其厚度為所述透明導(dǎo)電層中所發(fā)射光的波長(zhǎng)的四分之一或更小。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其具有基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體接觸層，并且在所述透明電極和所述接觸層之間僅有透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層由不同于所述接觸層和所述透明電極的材料制成，并且其厚度為所述透明導(dǎo)電層中所發(fā)射光的波長(zhǎng)的四分之一或更小。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述透明電極為p-電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述透明電極為n-電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述透明電極具有第一電極和第二電極，所述第一電極為p-電極并且所述第二電極為n-電極。