[發明專利]發出輻射的半導體元件及降低其操作電壓的方法

無效

• 申請號: 200810097609.X
• 申請日: 2008-05-21
• 公開（公告）號: CN101587924A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 林文禹;黃世晟;詹世雄
• 申請（專利權）人: 先進開發光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01S5/00;H01S5/323
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 晨

1.一種發出輻射的半導體元件，包含：

用以產生輻射的活性層；

p型傳導層，該p型傳導層形成于該活性層上；

透明傳導層，該透明傳導層形成于該p型傳導層上；與 非故意摻雜歐姆接觸層，形成于該p型傳導層與該透明傳導層之間， 并且該非故意摻雜歐姆接觸層的與該透明傳導層接觸的表面為平坦 面。

2.如權利要求1所述的發出輻射的半導體元件，其中，該半導體元 件為發光二極管或為激光二極管。

3.如權利要求1所述的發出輻射的半導體元件，其中，該非故 意摻雜歐姆接觸層為Al_xGa_yIn_(1-x-y)N四元合金，x值與y值的范 圍為0＜x≤1，0≤y≤1，且上述該Al_xGa_yIn_(1-x-y)N四元合金中的 能隙大于活性層的能隙，以此特性降低該非故意摻雜歐姆接觸層 的吸光效應。

4.如權利要求1所述的發出輻射的半導體元件，其中，該非故 意摻雜歐姆接觸層為單一外延成長層，該非故意摻雜歐姆接觸層 的厚度范圍值為

5.如權利要求1所述的發出輻射的半導體元件，其中，該非故 意摻雜歐姆接觸層是用以降低該發出輻射的半導體元件的操作電 壓。

6.如權利要求1所述的發出輻射的半導體元件，其中，該半導 體元件還包含基板與n型傳導層，該n型傳導層位于該基板與該 活性層之間，該基板為藍寶石或為碳化硅，該透明傳導層為下列 族群之一或其組合：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、氧化鎳、 鎘錫氧化物、ZnO:Al、ZnGa₂O₄、SnO₂:Sb、Ga₂O₃:Sn、AgInO₂:Sn、 In₂O₃:Zn、CuAlO₂、LaCuOS、CuGaO₂與SrCu₂O₂。

7.一種降低發出輻射的半導體元件的操作電壓的方法，包含：

提供基板；

于基板上依序形成n型傳導層、用以產生輻射的活性層、p型傳 導層；

于該p型傳導層上依序形成非故意摻雜歐姆接觸層以及透明傳導 層，其中該非故意摻雜歐姆接觸層的與該透明傳導層接觸的表面 為平坦面，該非故意摻雜歐姆接觸層是用以降低該半導體元件的 操作電壓。

8.如權利要求7所述的降低發出輻射的半導體元件的操作電壓 的方法，其中，該半導體元件為發光二極管或激光二極管。

9.如權利要求7所述的降低發出輻射的半導體元件的操作電壓 的方法，其中，該非故意摻雜歐姆接觸層為Al_xGa_yIn_(1-x-y)N四元 合金，x值與y值的范圍為0＜x≤1，0≤y≤1，且上述該 Al_xGa_yIn_(1-x-y)N四元合金的能隙大于活性層的能隙，以此特性降 低該非故意摻雜歐姆接觸層的吸光效應。

10.如權利要求7所述的降低發出輻射的半導體元件的操作電壓 的方法，其中，該非故意摻雜歐姆接觸層為單一外延成長層，該 非故意摻雜歐姆接觸層的厚度范圍值為該透明傳導 層為下列族群之一或其組合：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、 氧化鎳、鎘錫氧化物、ZnO:Al、ZnGa₂O₄、SnO₂:Sb、Ga₂O₃:Sn、 AgInO₂:Sn、In₂O₃:Zn、CuAlO₂、LaCuOS、CuGaO₂與SrCu₂O₂。